[发明专利]电阻糊剂及层叠陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及一种电阻糊剂以及采用该电阻糊剂构成的层叠陶瓷电容器，特别涉及为了对层叠陶瓷电容器还赋予作为CR复合电子部件的功能，有利地用于形成外部电极的至少一部分的电阻糊剂，以及采用该电阻糊剂构成的层叠陶瓷电容器。 

背景技术

在CPU周边使用层叠陶瓷电容器用于去耦时，由于层叠陶瓷电容器的等效串联电阻(ESR)过低，因而在电路上因并列共振而发生振荡，有发生阻抗增大的问题。因此，对于适于这种用途的层叠陶瓷电容器，希望将ESR控制在数10～数1000mΩ。作为能够满足这种要求的层叠陶瓷电容器，提出了对层叠陶瓷电容器所具备的外部电极还赋予作为电阻元件的功能的层叠陶瓷电容器。 

例如，在国际公开第2006/022258号公开文本(专利文献1)中，记载了如下的层叠陶瓷电容器：在具备含Ni或Ni合金的内部电极的层叠陶瓷电容器中，外部电极具有足够的耐还原性，并且具备含有与内部电极所含Ni或Ni合金发生反应的In-Sn复合氧化物(ITO)和玻璃成分的电阻电极层。 

根据该专利文献1中记载的技术有如下优点：外部电极中可以获得足够的电阻的同时，没有形成用于与内部电极连通的连通层来作为电阻电极层的基底层的特别必要，而且，在为保护电阻电极层而形成的保护层中没有使用高价的不会被氧化的金属的必要。 

另外，专利文献1中公开了通过将ITO的一部分置换为Ag、Al₂O₃、ZrO₂等来调整电阻值的方法。 

但是，例如以增大电阻值为目的，增大Ag、Al₂O₃、ZrO₂的置换比率时，已知会出现因过烧结而发生起泡的问题或因烧结不足而造成 致密性降低的问题。另外，即使形成相同比电阻的电阻电极层时，ESR也容易随作为层叠陶瓷电容器的部件主体的陶瓷层叠体的尺寸、电阻电极层的厚度、内部电极的叠层数等而变化。因此，为得到所需的ESR，有必要准备根据陶瓷层叠体的尺寸、电阻电极层的厚度、内部电极的叠层数等的设计的种类而改变了Ag、Al₂O₃、ZrO₂的置换比率的电阻糊剂。 

专利文献1：国际公开第2006/022258号公开文本。 

发明内容

因此，本发明的目的是提供可以解决上述问题的电阻糊剂，以及采用该电阻糊剂构成的层叠陶瓷电容器。 

为解决上述课题而反复进行了研究，结果发现：根据要与ITO的一部分置换的金属种类和氧化物种类的不同，存在促进电阻电极层的致密化的物质和相反地阻碍致密化的物质，通过适当选择该要置换的金属种类和/或氧化物的种类以及其置换比率，可不发生起泡，并且可以得到致密的电阻电极层。而且还发现：如上所述，金属置换后的电阻糊剂成为低电阻糊剂，氧化物置换后的电阻糊剂成为高电阻糊剂，通过这些低电阻糊剂和高电阻糊剂的混合，能够容易地控制ESR，并且可以得到良好的膜质电阻电极层。 

在这种背景下，本发明首先适用于，含有In-Sn复合氧化物、玻璃熔料和有机载体的电阻糊剂。 

本发明的电阻糊剂的第1方面的特征在于，还含有选自Ni和Cu中的至少一种作为致密化促进金属以及选自Mo、Cr和Nb中的至少一种作为致密化抑制金属，其中，所述致密化促进金属对烧成该电阻糊剂而得的烧结体的致密化有促进作用，所述致密化抑制金属对烧成该电阻糊剂而得的烧结体的致密化有抑制作用。 

第2方面，本发明的电阻糊剂的特征在于，当将In-Sn复合氧化物(ITO)、选自Ni和Cu中的至少一种作为对烧成该电阻糊剂而得的烧结体的致密化有促进作用的致密化促进金属(Mp)和选自Mo， Cr和Nb中的至少一种作为对烧成该电阻糊剂而得的烧结体的致密化有抑制作用的致密化抑制金属(Mc)的组成比(ITO，Mp，Mc)用体积％表示时，还以处于附图5中点A(95，5，0)、点B(92.5，5，2.5)、点C(55，30，15)、点D(50，40，10)以及点E(70，30，0)连接成的多边形所围的区域(其中，也包含线段AB，BC，CD，DE和EA上)的组成比，含有致密化促进金属和致密化抑制金属。