[发明专利]在晶片结合间隙中形成的芯片冷却通道

权利要求书

1.一种包括第一晶片(104)和第二晶片(102)的系统(500)， 特征在于所述系统还包括：

通道，所述通道被配置为容纳排热材料流并引导排热材料流通过 所述通道，所述通道包括第一壁和与所述第一壁相对的第二壁，所述 第一壁包括所述第一晶片的侧面并且所述第二壁包括所述第二晶片 的侧面，所述通道还包括所述第一壁和所述第二壁之间的距离，其中 所述距离完全分离所述第一晶片和所述第二晶片；以及

与所述通道的所述第一壁和第二壁耦合的图案化结合材料，所述 图案化结合材料形成：

配置用于维持所述距离的间隙设置构造；以及

在所述通道内形成一个或多个沟道的壁状结构构造，所述一个或 多个沟道配置用于所述容纳排热材料流和引导排热材料流通过所述 通道；

其中所述图案化结合材料包括介电材料和晶片结合互连材料中 的至少一种。

2.根据权利要求1的系统，还包括：

进口管道(514)，其用于将所述排热材料输入到所述第一晶片 和所述第二晶片之间的所述通道中。

3.根据权利要求1的系统，还包括：

出口管道(502)，其用于从所述第一晶片和所述第二晶片之间 的所述通道输出所述排热材料。

4.根据权利要求1的系统，其中，所述排热材料包括流体。

5.根据权利要求1的系统，其中所述图案化结合材料使得晶片 结合工艺能够形成所述通道，所述晶片结合工艺从由共晶结合、焊剂 结合、压缩结合、熔融结合、阳极结合、等离子体辅助结合以及黏接 结合组成的组中加以选择。

6.根据权利要求1的系统，其中：

所述第一晶片是集成电路晶片；并且

所述第二晶片选自由光学晶片、机械晶片、电学晶片和帽晶片组 成的组中。

7.根据权利要求1的系统，其中，所述第一晶片包括突出部(126)， 所述突出部包括电结合垫。

8.根据权利要求1的系统，其中，所述图案化结合材料包括所 述第一晶片和所述第二晶片之间的电互连(114)。