[发明专利]低级烃的芳构化催化剂及芳族化合物的制备方法

权利要求书

1.用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂，包括：

作为载体的沸石，在其上负载钼和铜后再经焙烧，所述沸石为ZSM-5 或MCM-22，

其中，将所述催化剂与低级烃和碳酸气反应，生成芳族化合物，

按铜对钼的摩尔比为0.1～0.8来将钼和铜负载于沸石上，

以焙烧后的催化剂总量为基准，钼的负载量在2～12wt％的范围。

2.权利要求1所述的用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂，其 中，将钼和铜负载在经硅烷化合物处理过的沸石上，该硅烷化合物的分 子直径大于沸石的孔径、并具有氨基和直链烃基，所述氨基能够选择性 地与所述沸石上的布朗斯台德酸点反应。

3.权利要求1或2所述的用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂， 其中，将钼和铜负载在所述沸石上之后，在焙烧时，所施加的焙烧温度 在550～800℃的范围。

4.权利要求2所述的用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂，其 中，硅烷化合物包括3-氨基丙基-三乙氧基硅烷。

5.权利要求4所述的用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂，其 中，用硅烷化合物的改性处理按如下方式进行：以焙烧后的催化剂总量 为基准，3-氨基丙基-三乙氧基硅烷的加入量少于2.5wt％。

6.权利要求5所述的用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂，其 中，用硅烷化合物的改性处理按如下方式进行：以焙烧后的催化剂总量 为基准，3-氨基丙基-三乙氧基硅烷的加入量为0.5wt％。

7.权利要求1或2所述的用于从低级烃制备芳族化合物的催化剂， 其中，按铜对钼的摩尔比为0.1～0.3来将钼和铜负载于沸石上。

8.芳族化合物的制备方法，包括以下步骤：

按铜对钼的摩尔比为0.1～0.8来将钼和铜负载在作为载体的沸石 上，所述沸石为ZSM-5或MCM-22，

在沸石上负载钼和铜后，将其焙烧；以及

将所述催化剂与含有低级烃和碳酸气的反应气体进行反应，以制备 芳族化合物，

其中，在进行负载钼和铜的步骤中，使得：以焙烧后的催化剂总量 为基准，钼的负载量在2～12wt％的范围。

9.权利要求8所述的芳族化合物的制备方法，其中，以所述反应 气体的总量为基准，碳酸气的加入量在0.5～6wt％的范围。