[发明专利]将数据写入半导体存储器中的方法以及存储器控制器有效

专利信息
申请号: 200880005146.8 申请日: 2008-02-13
公开(公告)号: CN101611386A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 高田知二 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16;G11C16/02;G11C16/04
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 数据 写入 半导体 存储器 中的 方法 以及 控制器
【权利要求书】:

1.一种将数据写入非易失性半导体存储器中的方法,在所述非易失性 半导体存储器中存储器基元被串联连接,每个所述存储器基元都具有连接 到字线的栅极,所述方法包括以下步骤:

根据数据将被写入其中的存储器基元的字线地址,为所述数据选择编 码方法;

使用所选择的编码方法对所述数据编码;以及

根据所述字线地址将编码后的数据写入所述存储器基元中,

其中以彼此邻近的多个字线为单位对所述字线分组,

允许在连接到属于相同组的字线的存储器基元之间复制所述数据,

其中,在为所述数据选择编码方法中,为属于不同组的所述字线选择 不同的编码方法。

2.根据权利要求1的方法,其中属于一个组的所述字线之一被夹在两 个邻近的属于其他组的字线之间。

3.根据权利要求1的方法,其中

禁止在连接到属于不同组的字线的存储器基元之间复制所述数据。

4.根据权利要求1的方法,其中以彼此邻近的多个字线为单位对所述 字线分组,以及

根据通过将所述字线地址M除以N获得的余数对所述字线分组,其 中M是大于或等于2的自然数,N是大于或等于2的自然数。

5.根据权利要求1的方法,其中,将所选择的编码方法的在对数据编 码的操作中使用的数据与所述编码后的数据一起写入具有对应的字线地址 的所述存储器基元中。

6.根据权利要求1的方法,其中以彼此邻近的多个字线为单位对所述 字线分组,

所述选择编码方法包括以下步骤:

确定所述字线地址属于所述组中的哪一组,以及

根据所确定的组从表中选择所述编码方法,在所述表中一对一对 应地记录用于所述组的所述编码方法,并且

将所述表中的提供给所述组中的每一组的索引数据与所述编码后的数 据一起写入具有对应的字线地址的所述存储器基元中。

7.根据权利要求1的方法,其中每一个所述存储器基元具有叠层栅极, 所述叠层栅极包括电荷存储层和控制栅极,所述电荷存储层形成在半导体 衬底上,在所述半导体衬底与所述电荷存储层之间插入有栅极绝缘膜,所 述控制栅极形成在所述电荷存储层上且连接到所述字线中的任何一个字 线,在所述控制栅极与所述电荷存储层之间插入有栅极间绝缘膜。

8.一种将数据写入非易失性半导体存储器中的方法,在所述非易失性 半导体存储器中串联连接第一存储器基元和第二存储器基元,每一个所述 第一存储器基元的栅极都连接到第一字线,每一个所述第二存储器基元的 栅极都连接到邻近所述第一字线的第二字线,所述方法包括以下步骤:

使用第一编码方法对第一数据编码;

将编码后的第一数据写入所述第一存储器基元中;

使用不同于所述第一编码方法的第二编码方法对第二数据编码;以及

将编码后的第二数据写入所述第二存储器基元中,

其中将关于所述第一编码方法的第一信息写入所述第一存储器基元中 的任何一个中,且

将关于所述第二编码方法的第二信息写入所述第二存储器基元中的任 何一个中,

其中关于所述第一编码方法的第一信息是所述第一编码方法的在对数 据编码的操作中使用的数据或与所述第一编码方法相关的索引数据,且

关于所述第二编码方法的第二信息是所述第二编码方法的在对数据编 码的操作中使用的数据或与所述第二编码方法相关的索引数据。

9.根据权利要求8的方法,其中根据所述第一存储器基元的行地址选 择所述第一编码方法,以及

根据所述第二存储器基元的行地址选择所述第二编码方法。

10.根据权利要求8的方法,其中所述第一信息是所述第一编码方法 的在对数据编码的操作中使用的数据,以及

所述第二信息是所述第二编码方法的在对数据编码的操作中使用的数 据。

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