[发明专利]包含具有工艺容限配置的基板二极管的SOI器件以及形成该SOI器件的方法

权利要求书

1、一种方法，包括下列步骤：

在SOI衬底(201、301)的第一器件区(210、310)中形成第一开孔(211B、311B)及第二开孔(211A、311A)，并覆盖第二器件区(220、320)，该第一(211B、311B)及第二开孔(211A、311A)延伸通过埋入绝缘层(204、304)到结晶衬底材料(202、302)，该第二器件区(220、320)具有在其中形成的第一晶体管(230、330B)及第二晶体管(330A)，每一晶体管包括延伸区(234)并包含在形成该第一及第二开孔(211A、211B、311A、311B)之前，先在该第一及第二晶体管(230、330A、330B)的栅电极(231)的侧壁上形成的侧壁间隔件(236、336)；

以共同的第一漏极/源极注入工艺(209p)形成该第一晶体管(230、330B)中的漏极及源极区(237、337)、以及该结晶衬底材料(202、302)中被该第一开孔(211B、311B)露出的第一掺杂区(217B、317B)；

以共同的第二漏极/源极注入工艺(209n)形成该第二晶体管(33A)中的漏极及源极区(337)、以及该结晶衬底材料(202、302)中被该第二开孔(211A、311A)露出的第二掺杂区(217A、317A)；以及

在该第一及第二晶体管(230、330A、330B)以及该第一及第二掺杂区(217A、317A、217B、317B)中形成金属硅化物(238、218、318)。

2、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：在形成该金属硅化物(238、218、318)之前，先将该漏极及源极区(237、337)以及该第一及第二掺杂区(217A、317A、217B、317B)退火。

3、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：在形成该金属硅化物(238)之前，先去除该侧壁间隔件(236、336)。

4、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：

在该共同的第一及第二漏极/源极注入工艺(209p、209n)之后，在该第一及第二开孔(311A、311B)的侧壁上形成间隔组件(360S)；以及

执行用于该第一开孔(211B、311B)及该第一晶体管(230、330B)的进一步的共同的漏极/源极注入工艺、以及用于该第二开孔(211A、311A)及该第二晶体管(330A)的进一步的共同的漏极/源极注入工艺。

5、如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：在形成该金属硅化物(318)之前，先在该第一及第二开孔(311A、311B)的侧壁上形成间隔组件(360S)。

6、一种方法，包括下列步骤：

在位于SOI衬底(301)的第一器件区(310)中的第一开孔(311B)中并在第二器件区(320)中形成的第一晶体管(330B)之上形成间隔层(360)，该第一开孔(311B)延伸通过埋入绝缘层(304)到结晶衬底材料(302)；

在该第一开孔(311B)的侧壁的一部分上形成间隔组件(360S)，同时自该第一晶体管(330B)之上去除该间隔层(360)；以及

在该第一晶体管(311B)及被具有该间隔组件(360S)的该第一开孔(311B)露出的该结晶衬底材料(302)中形成金属硅化物(238、318)。

7、如权利要求6所述的方法，进一步包括下列步骤：在形成该间隔组件(360S)之前，先在被该第一开孔(311B)露出的该结晶衬底材料(302)中形成第一掺杂区(317B)。

8、如权利要求7所述的方法，其中，在共同的注入工艺中形成该第一掺杂区(317B)、以及该第一晶体管(330B)的漏极及源极区(337)。

9、如权利要求6所述的方法，进一步包括下列步骤：在形成该第一开孔(311B)之前，先在该第一晶体管(330B)的栅电极的侧壁上形成侧壁间隔件结构(336)。

10、如权利要求6所述的方法，进一步包括下列步骤：在形成该金属硅化物(238、318)之前，先去除该第一晶体管(330B)的栅电极的侧壁上形成的侧壁间隔件(336)。