[发明专利]用于非易失性闪速存储器的异质BIMOS注入工艺

权利要求书

1.一种异质BiMOS注入系统，包括：

包括硅的高掺杂发射极层；

耦合到所述发射极层的第一端子；

沉积在所述高掺杂发射极层上的基极层，其中所述基极层包括硅锗；

耦合到所述基极层的第二端子；以及

形成在所述基极层上的MOSFET晶体管，其中所述MOSFET包括浮栅。

2.根据权利要求1所述的异质BiMOS注入系统，其中所述高掺杂发射极层为N+型，所述基极层为P型。

3.根据权利要求1所述的异质BiMOS注入系统，其中所述高掺杂发射极层为P+型，所述基极层为N型。

4.根据权利要求1所述的异质BiMOS注入系统，其中所述MOSFET晶体管包括：

形成在所述基极层上的栅极叠置体，其中所述栅极叠置体包括形成在两个氧化物层之间的所述浮栅；

形成在所述栅极叠置体上的控制栅极；

形成在所述基极层的与所述栅极叠置体相邻的第一部分中的源极区；

形成在所述基极层的与所述栅极叠置体相邻的第二部分中的漏极区；以及

耦合到所述源极区和所述漏极区中的至少一个的第三端子。

5.根据权利要求4所述的MOSFET晶体管，其中：

所述源极区和漏极区为高掺杂N+型；并且

所述浮栅包括多晶硅层、氮化物层或金属层。

6.根据权利要求4所述的MOSFET晶体管，其中：

所述源极区和漏极区为高掺杂P+型；并且

所述浮栅包括多晶硅层、氮化物层或金属层。