[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 200880006549.4 | 申请日: | 2008-09-22 |
公开(公告)号: | CN101622609A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 杉田将人;前田敬司 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06F12/16 | 分类号: | G06F12/16;G06F1/30 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;周良玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储器装置,包括:多个闪速存储器;连接器,能够连接到主机设备;高速缓冲存储器,用于提供到所述闪速存储器的数据传输;控制器,执行到所述闪速存储器的数据传输的控制;电源电路,其将外部电源电压转换成内部电源电压以向所述闪速存储器提供所述内部电源电压;以及
熔丝,其保护至少所述闪速存储器免于过电流,其中,所述高速缓冲存储器、所述控制器和所述熔丝被安装在基片上。
2.根据权利要求1的半导体存储器装置,其中,所述电源电路、所述熔丝和所述控制器被聚集在特定区域中并且提供在所述连接器附近,并且所述闪速存储器被提供为围绕所述区域的至少两个方向。
3.根据权利要求1或2的半导体存储器装置,其中,当流过额定电流两倍加上特定边际值的电流时,所述熔丝切断电流。
4.根据权利要求1或2的半导体存储器装置,其中,所述熔丝是电力熔丝或者自恢复型可复位熔丝。
5.根据权利要求1或2的半导体存储器装置,其中,所述闪速存储器是NAND型存储器。
6.根据权利要求1的半导体存储器装置,其中,所述熔丝被提供在所述电源电路的输入侧。
7.根据权利要求6的半导体存储器装置,其中,所述电源电路、所述熔丝和所述控制器被聚集在特定区域中并且被提供在所述连接器附近,并且所述闪速存储器被提供为围绕所述区域的至少两个方向。
8.根据权利要求6或7的半导体存储器装置,其中,当流过额定电流两倍加上特定边际值的电流时,所述熔丝切断电流。
9.根据权利要求6或7的半导体存储器装置,其中,所述熔丝是电力熔丝或者自恢复型可复位熔丝。
10.根据权利要求6或7的半导体存储器装置,其中,所述闪速存储器是NAND型存储器。
11.根据权利要求1的半导体存储器装置,其中
所述电源电路具有多个内部电源电压线路,所述多个内部电源电压线路输出多个不同的内部电源电压;并且
所述熔丝被选择性地提供到所述内部电源电压线路当中向所述闪速存储器提供内部电源电压的内部电源电压线路。
12.根据权利要求11的半导体存储器装置,其中,所述电源电路、所述熔丝和所述控制器被聚集在特定区域中并且被提供在所述连接器附近,并且所述闪速存储器被提供为围绕所述区域的至少两个方向。
13.根据权利要求11或12的半导体存储器装置,其中,当流过额定电流两倍加上特定边际值的电流时,所述熔丝切断电流。
14.根据权利要求11或12的半导体存储器装置,其中,所述熔丝是电力熔丝或者自恢复型可复位熔丝。
15.根据权利要求11或12的半导体存储器装置,其中,所述闪速存储器是NAND型存储器。
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