[发明专利]含有二氟环戊二酮环与芳香环缩合而成的单元的聚合物以及使用其的有机薄膜及有机薄膜元件无效
申请号: | 200880007141.9 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101652402A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 家裕隆;安苏芳雄;梅本钦一;上田将人 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C08G61/00 | 分类号: | C08G61/00;C07D333/78;C08J5/18;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱 丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 二氟环戊二酮环 芳香 缩合 单元 聚合物 以及 使用 有机 薄膜 元件 | ||
1.一种聚合物,其特征在于,
具有下述通式(I)表示的重复单元且用循环伏安法测定的以二茂铁为基准的还原电势为-1.5V~-0.5V,
式中,Ar1表示2价的芳香族烃基或2价的杂环基,这些基团也可以具有取代基。
2.根据权利要求1所述的聚合物,其中,
所述通式(I)表示的重复单元为下述通式(II)表示的重复单元,
式中,Z1为下述式(i)~(ix)表示的基团中的任意一种,其中,R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或取代基,R2与R3也可以彼此键合形成环,
3.根据权利要求1或2所述的聚合物,其具有:
所述通式(I)表示的重复单元,和
与其不同的由下述通式(III)表示的重复单元,
式中,Ar2表示2价的芳香族烃基或2价的杂环基,这些基团也可以具有取代基。
4.根据权利要求3所述的聚合物,其中,
所述通式(III)表示的重复单元为下述通式(IV)表示的重复单元,
式中,Z2为下述式(i)~(ix)表示的基团中的任意一种,R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或取代基,R2与R3也可以彼此键合形成环,R5及R6分别独立地表示氢原子或取代基,R5与R6也可以形成环,
5.根据权利要求2~4中任意一项所述的聚合物,其中,
所述Z1为所述式(i)表示的基团。
6.根据权利要求4或5所述的聚合物,其中,
所述Z2为所述式(i)表示的基团。
7.根据权利要求2~6中任意一项所述的聚合物,其具有:
下述通式(IIa)表示的重复单元,和
下述通式(IVa)表示的重复单元及/或下述通式(XX)表示的重复单元,
式(XX)中,R”表示氢原子、氟原子、烷基或芳基,存在的2个R”相同或不同。
8.一种有机薄膜,其含有权利要求1~7中任意一项所述的聚合物,膜厚为1nm~100μm。
9.根据权利要求8所述的有机薄膜,其是利用真空蒸镀法、旋涂法、喷墨印刷法、分配器印刷法、柔版印刷法、喷嘴涂布法或毛细管涂布法形成的。
10.一种有机薄膜元件,其中,
具备权利要求8或9所述的有机薄膜。
11.一种有机薄膜晶体管,其具备源电极和漏电极、成为源电极和漏电极之间的电流路径的有机半导体层以及控制在所述电流路径中通过的电流量的栅电极,其中,
所述有机半导体层具备权利要求8或9所述的有机薄膜。
12.一种有机太阳电池,其中,
具备权利要求8或9所述的有机薄膜。
13.一种光传感器,其中,
具备权利要求8或9所述的有机薄膜。
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