[发明专利]甲硅烷基乙炔化杂并苯和由其制造的电子器件

权利要求书

1.式I的化合物：

其中

Y¹和Y²之一表示-CH=或=CH-且另一个表示-X-，

Y³和Y⁴之一表示-CH=或=CH-且另一个表示-X-，

X为-S-，

R为具有1-20个碳原子的环状、直链或带支链烷基，其任选为氟化的，

R′为F，

m为0或1，

n为0或1。

2.权利要求1的化合物，其中R为具有1-20个碳原子的环状、直链 或带支链烷基，其任选为全氟化的。

3.权利要求1的化合物，选自下列结构式：

其中R、R′和X如权利要求1定义。

4.具有下列结构式的异构体的混合物：

其中R、R′和X如权利要求1定义。

5.具有下列结构式的异构体的混合物：

其中R、R′和X如权利要求1定义。

6.具有下列结构式的异构体的混合物：

其中R、R′和X如权利要求1定义。

7.根据权利要求1或2的化合物，其中R是具有1-8个碳原子的直 链或带支链烷基。

8.根据权利要求7的化合物，其中R是甲基、乙基、正丙基、异丙 基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基。

9.根据权利要求4-6中任一项的混合物，其中R是具有1-8个碳原子 的直链或带支链烷基。

10.根据权利要求9的混合物，其中R是甲基、乙基、正丙基、异丙 基、正丁基、仲丁基、异丁基或叔丁基。

11.根据权利要求1的化合物，其中m=n=0。

12.根据权利要求1或2的化合物，其中R如权利要求7中所定义且 m=n=0。

13.根据权利要求4-6中任一项的混合物，其中R如权利要求9中所 定义且m=n=0。

14.一种配制剂，其包含一种或多种根据权利要求1-13中任一项的化 合物或混合物，并且还包含一种或多种有机溶剂。

15.一种电子器件，其包含一种或多种根据权利要求1-14中任一项的 化合物、异构体的混合物或配制剂。

16.根据权利要求15的电子器件，其为晶体管，包含：

栅极电极；

包含一种或多种根据权利要求1-14中任一项的化合物、混合物或配制 剂的半导体；

在所述栅极电极和所述半导体之间的绝缘体；

源极电极；和

漏极电极。

17.根据权利要求15的电子器件，其为光生伏打装置，包含：

透明的阳极；

包含一种或多种根据权利要求1-14中任一项的化合物、混合物或配制 剂的半导体；

n型材料；和

阴极。