[发明专利]甲硅烷基乙炔化杂并苯和由其制造的电子器件

说明书

技术领域

本发明总体上涉及有机半导体领域，更特别地涉及甲硅烷基乙炔化杂并苯以及由这些化合物制造的配制剂和电子器件。 

发明背景 

预期显示器技术将成为未来高科技工业的优势部分。还预期平板显示器技术将通过使用有机半导体而发生巨大变化，所述有机半导体将能够制造廉价的、柔韧的、轻的、十分便携的平板显示器，对其尺寸没有明显限制。预计，由于较低的制造成本，有机半导体类显示器将最终超过非晶硅类对应物而取得优势并且相应的市场份额到2007年将增至$16亿。然而，为了实现这些目标，还需要在有机半导体领域和器件加工领域的显著突破。 

对于可能用于显示器、传感器及其他大面积电子应用的有机薄膜晶体管(OTFT)的兴趣正迅速增长。最佳报导的有机薄膜晶体管(OTFT)器件性能比得上或超过氢化非晶硅器件的性能，并且低的OTFT工艺温度使得在一系列表面上加工成为可能，包括布、纸或较低温聚合物基材。 

用于OTFT的有机半导体广泛地分为高迁移率材料和低迁移率材料两类。高迁移率材料具有＞0.1cm²/V-s的迁移率，有用地大载流子能带宽(＞0.1eV)和弱的或有时不存在的迁移率温度活化。至今，大多数高迁移率有机半导体为小分子材料(并五苯是最著名的实例)并且大部分通过真空升华沉积或通过高温(＞150℃)转化步骤从溶液前体沉淀。低迁移率材料具有约10^-5-10^-1cm²/V-s的迁移率，通常通过跃迁运输载流子，并具有强的迁移率温度活化。大多数聚合物有机半导体属于该类别并且其中许多具有它们可以从溶液沉积的潜在优点。 

至今，很少有低温溶液加工的高迁移率有机半导体的报道。另外，即 使对于低迁移率材料，当前的溶液沉积技术并不能证明材料结构、厚度和性能控制比得上真空沉积技术。 

本发明的一个目的是提供具有有利性能，尤其是具有相对低OTFT工艺温度和相对较高迁移率的新型有机半导体化合物。本发明的另一个目的是扩展本领域技术人员可能得到的有机半导体化合物的范围(pool)。对于本领域的技术人员，本发明的其他目的将从下列详细说明中显而易见。 

发现，这些目的可以通过提供如本发明权利要求所述的新型甲硅烷基乙炔化杂并苯来实现。 

M.Payne，S.Odom，R.Parkin，J.Anthony，Org.Lett.2004，第6卷，No.19，p.3325-3328公开了甲硅烷基乙炔化杂并苯，但没公开根据本发明的化合物。 

发明概述 

本发明涉及式I的化合物： 

其中 

Y¹和Y²之一表示-CH＝或＝CH-且另一个表示-X-， 

Y³和Y⁴之一表示-CH＝或＝CH-且另一个表示-X-， 

X为-O-、-S-、-Se-或-NR″′-， 

R为具有1-20个碳原子，优选1-8个碳原子的环状、直链或带支链烷基或烷氧基或具有2-30个碳原子的芳基，它们全部任选为氟化或全氟化的，SiR₃优选为三烷基甲硅烷基， 

R′为H、F、Cl、Br、I、CN、具有1-20，优选1-8个碳原子并任选氟 化或全氟化的直链或带支链烷基或烷氧基、具有6-30个碳原子的任选氟化或全氟化的芳基(优选C₆F₅)或CO₂R″，其中R″为H、具有1-20个碳原子的任选氟化的烷基或具有2-30，优选5-20个碳原子的任选氟化的芳基， 

R″′为H或具有1-10个碳原子的环状、直链或带支链烷基，优选为H， 

m为0或1， 

n为0或1。 

本发明还涉及一种配制剂，其包含一种或多种式I的化合物，并优选还包含一种或多种有机溶剂。 

本发明还涉及电子器件，特别是晶体管、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机光生伏打(OPV)器件、集成电路(IC)、传感器、射频识别(RFID)标签和太阳能电池，其包含一种或多种式I的化合物或含式I的化合物的配制剂。 

附图简述 

引入说明书并构成说明书一部分的附图举例说明了本发明的几个方面，并且连同说明书用于解释本发明的某些原理。在图中：