[发明专利]短沟道低电压、中间电压和高电压CMOS装置

权利要求书

1.一种N沟道MOSFET，其包括：

a)P^-外延层，其位于衬底上；

b)源极和漏极，其形成于所述外延层中，且位于栅极的相对侧上，所述栅极位 于栅极氧化物上，所述栅极氧化物位于所述外延层上；

c)第一N型上部缓冲层，其从所述源极下横向延伸到所述外延层的顶部表面处 的所述栅极的离所述源极最近的第一边缘与所述栅极的中部之间的位置；

d)第二N型上部缓冲层，其从所述漏极下横向延伸到所述外延层的顶部表面处 的所述栅极的离所述漏极最近的第二边缘与所述栅极的所述中部之间的位置；

e)第一P型下部块层，其从所述第一N型上部缓冲层下横向延伸到所述外延层 的所述顶部表面处的所述栅极下比到所述源极更靠近所述漏极的位置；以及

f)第二P型下部块层，其从所述第二N型上部缓冲层下横向延伸到所述外延层 的所述顶部表面处的所述栅极下比到所述漏极更靠近所述源极的位置，所述第一P 型下部块层和第二P型下部块层在所述栅极下的区中彼此覆盖。

2.根据权利要求1所述的N沟道MOSFET，其中所述栅极氧化物具有多个厚度，以 形成分裂式栅极氧化物。

3.根据权利要求2所述的N沟道MOSFET，其中离所述漏极最近的所述栅极氧化物 比离所述源极最近的所述栅极氧化物厚。

4.根据权利要求1所述的N沟道MOSFET，其中所述源极最接近第一栅极侧壁氧化 物，且所述漏极最接近第二栅极侧壁氧化物。

5.根据权利要求1所述的N沟道MOSFET，其中所述源极与所述栅极间隔开。

6.根据权利要求5所述的N沟道MOSFET，其中所述第一N型上部缓冲层和所述第 一P型下部块层形成所述栅极与所述源极之间的降低表面电场区。

7.根据权利要求5所述的N沟道MOSFET，其中所述漏极与所述栅极间隔开。

8.根据权利要求7所述的N沟道MOSFET，其中所述第二N型上部缓冲层和所述第 二P型下部块层形成所述栅极与所述漏极之间的降低表面电场区。

9.根据权利要求1所述的N沟道MOSFET，其中所述源极与所述栅极间隔开，以形 成所述栅极与所述源极之间的降低表面电场区，所述降低表面电场区至少部分地在 场氧化物下。

10.根据权利要求1所述的N沟道MOSFET，其中所述漏极与所述栅极间隔开，以形 成所述栅极与所述漏极之间的降低表面电场区，所述降低表面电场区至少部分地在 场氧化物下。

11.根据权利要求1所述的N沟道MOSFET，其进一步包含：

a)N埋入层，其位于所述外延层中，位于所述第一P型下部块层和第二P型下 部块层下方；

b)P^-底部层，其为位于所述N埋入层上方且位于所述第一P型下部块层和第二 P型下部块层下方的所述外延层；

c)N吸收器环，其围绕所述源极、所述栅极、所述漏极、所述第一N型上部缓 冲层和第二N型上部缓冲层以及所述第一P型下部块层和第二P型下部块层，所 述N埋入层和所述P^-底部层延伸到所述N吸收器环的内周边；以及

d)由第一P^-阱和第二P^-阱形成的P^-阱环，其从所述外延层的所述顶部表面延伸 到所述P^-底部层；且

e)其中所述源极、所述漏极、所述第一和第二N型上部缓冲层以及所述第一和 第二P型下部块层、所述N埋入层和所述P^-底部层在所述第一P^-阱与第二P^-阱之 间。