[发明专利]多层信息记录介质的制造方法、以及信号转印基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880008345.4 申请日: 2008-03-12
公开(公告)号: CN101632125A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 富山盛央;爱甲秀树;留河优子;篠谷贤一;奥村治树 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社;松下电工株式会社
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26;G11B7/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 多层 信息 记录 介质 制造 方法 以及 信号 转印基板 及其
【权利要求书】:

1.一种信号转印基板,是用于将由凹凸形状构成的信号部转印于树脂的信号转印基板,

该信号转印基板具备形成有所述信号部的信号面,该信号转印基板由有机无机混合材料形成,该有机无机混合材料含有具有由-Si-O-键构成的多面体结构的分子尺寸的无机部、以及将多个所述无机部互相地交联的有机片段。

2.根据权利要求1所述的信号转印基板,其中,所述有机无机混合材料是使含有硅倍半氧烷化合物的硅树脂组合物固化所得到的硅树脂固化物,

所述硅倍半氧烷化合物含有从由下式(1)~(3)表示的笼状硅倍半氧烷化合物和其部分聚合物构成的群中所选择的至少1种,

(AR1R2SiOSiO1.5)n(R3R4HSiOSiO1.5)p(BR5R6SiOSiO1.5)q(HOSiO1.5)m-n-p-q...(1)

(AR1R2SiOSiO1.5)r(B1R5R6SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)t-r-s...(2)

(R3R4HSiOSiO1.5)r(B1R5R6SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)t-r-s...(3)

式(1)~(3)中,A表示具有碳-碳不饱和键的基团,B表示取代或非取代的饱和烷基或羟基,B1表示取代或非取代的饱和烷基、羟基或氢原子,R1~R6各自独立地表示选自低级烷基、苯基和低级芳基烷基的官能团;另外,式(1)~(3)中,m和t表示选自6、8、10、12的数,n表示1~m-1的整数,p表示1~m-n的整数,q表示0~m-n-p的整数,r表示2~t的整数,s表示0~t-r的整数。

3.根据权利要求2所述的信号转印基板,其中,所述硅倍半氧烷化合物含有:从由所述式(2)所表示的笼状硅倍半氧烷化合物和其部分聚合物构成的群中所选择的至少1种、以及从由所述式(3)所表示的笼状硅倍半氧烷化合物和其部分聚合物构成的群中所选择的至少1种。

4.根据权利要求2所述的信号转印基板,其中,所述硅树脂组合物还含有从下式(4)和下式(5)中所选择的至少1种化合物,

HR7R8Si-X-SiHR9R10...(4)

H2C=CH-Y-CH=CH2...(5)

式(4)中,X表示2价的官能团或氧原子,R7~R10各自独立地表示碳原子数1~3的烷基或氢原子;另外,式(5)中,Y表示2价的官能团。

5.根据权利要求4所述的信号转印基板,其中,所述硅树脂组合物含有:从由所述式(2)所表示的笼状硅倍半氧烷化合物和其部分聚合物构成的群中所选择的至少1种、以及所述式(4)所表示的化合物。

6.根据权利要求4所述的信号转印基板,其中,所述硅树脂组合物含有:从由所述式(3)所表示的笼状硅倍半氧烷化合物和其部分聚合物构成的群中所选择的至少1种、以及所述式(5)所表示的化合物。

7.权利要求2所述的信号转印基板,其中,在所述式(1)和所述式(2)的至少一方中,式中的A所表示的具有碳-碳不饱和键的基团是在末端具有碳-碳不饱和键的链状烃基。

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