[发明专利]用于成像器装置的封装方法无效
申请号: | 200880008363.2 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101632177A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 卢克·英格兰;拉里·D·金斯曼 | 申请(专利权)人: | 普廷数码影像控股公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 英属开*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 成像 装置 封装 方法 | ||
1.一种成像器装置,其包含:
至少一个光敏元件,其定位在衬底的正表面上;
至少一个电触点结构,其定位在所述衬底的所述正表面上;
导电结构,其至少部分地延伸穿过所述衬底中所界定的开口,所述导电结构导电性地耦合到所述至少一个电触点;以及
层压结构的绝缘材料的一部分,其定位在所述开口内所述导电结构的至少一部分与所述衬底之间。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述绝缘材料包含树脂、聚合物和粘合剂中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述绝缘材料过填充所述开口且覆盖所述衬底的背表面的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述绝缘材料过填充所述开口且覆盖所述衬底的背表面的大致全部。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电结构导电性地耦合到所述至少一个电触点的背表面。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述绝缘材料过填充所述开口且所述绝缘材料具有与所述衬底的背表面间隔开且大致平行的表面。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述开口内的所述绝缘材料定位在所述开口内的所述导电结构的全部与所述衬底之间。
8.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含远离所述衬底的背表面定位的导电凸块,所述导电凸块导电性地耦合到所述衬底中的所述开口内的所述导电结构且耦合到另一结构。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电结构包含导电膏。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电结构包含金属。
11.根据权利要求9所述的装置,其中所述导电结构包含铜。
12.根据权利要求1所述的装置,其中所述开口由形成在所述衬底中的倾斜侧壁界定。
13.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含透镜支撑结构和定位于所述至少一个光敏元件上方的至少一个透镜。
14.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个光敏元件是CMOS成像器装置的一部分。
15.一种成像器装置,其包含:
至少一个光敏元件,其定位在衬底的正表面上;
至少一个电触点结构,其定位在所述衬底的所述正表面上;
导电结构,其至少部分地延伸穿过所述衬底中所界定的开口,所述导电结构导电性地耦合到所述至少一个电触点;以及
模制化合物材料,其定位在所述开口内所述导电结构的至少一部分与所述衬底之间。
16.根据权利要求15所述的装置,其中所述模制化合物材料过填充所述开口且覆盖所述衬底的背表面的至少一部分。
17.根据权利要求16所述的装置,其中所述模制化合物材料过填充所述开口且覆盖所述衬底的背表面的大致全部。
18.根据权利要求16所述的装置,其中所述模制化合物材料具有延伸超过所述衬底的背表面的表面。
19.根据权利要求16所述的装置,其中所述模制化合物材料过填充所述开口且所述模制化合物具有与所述衬底的背表面间隔开且大致平行的表面。
20.根据权利要求15所述的装置,其中所述开口内的所述模制化合物材料定位在所述开口内的所述导电结构的全部与所述衬底之间。
21.根据权利要求15所述的装置,其进一步包含远离所述衬底的背表面定位的导电凸块,所述导电凸块导电性地耦合到所述衬底中的所述开口内的所述导电结构且耦合到另一结构。
22.根据权利要求15所述的装置,其中所述导电结构包含导电膏。
23.根据权利要求15所述的装置,其中所述导电结构包含金属。
24.根据权利要求23所述的装置,其中所述导电结构包含铜。
25.根据权利要求15所述的装置,其中所述开口由形成在所述衬底中的倾斜侧壁界定。
26.根据权利要求15所述的装置,其进一步包含透镜支撑结构和定位于所述至少一个光敏元件上方的至少一个透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的