[发明专利]用于成像器装置的封装方法无效
申请号: | 200880008363.2 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101632177A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 卢克·英格兰;拉里·D·金斯曼 | 申请(专利权)人: | 普廷数码影像控股公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 英属开*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 成像 装置 封装 方法 | ||
技术领域
本发明标的物大体上针对于微电子成像器装置及封装和制造此类装置的各种方法以及所得封装式成像器装置的领域。
背景技术
微电子成像器用于数码相机、具有图片能力的无线装置和许多其它应用中。举例来说,手机和个人数字助理(PDA)正并入有微电子成像器以用于俘获和发送图片。随着微电子成像器变得较小且产生具有较高像素计数的较佳图像,其增长速率已稳定地增加。
微电子成像器包括图像传感器,其使用电荷耦合装置(CCD)系统、互补金属氧化物半导体(CMOS)系统或其它系统。CCD图像传感器已广泛用于数码相机和其它应用中。CMOS图像传感器也正由于其相对较低的生产成本、较高合格率和较小大小而快速地变得非常普遍。CMOS图像传感器可提供这些优点,因为它们是使用针对制作半导体装置而开发的技术和设备来制造的。CMOS图像传感器以及CCD图像传感器因此被“封装”以保护精细组件且提供外部电触点。
图1是具有常规封装的常规微电子成像器1的示意图。成像器1包括裸片10、附接到裸片10的互连导电物20和附接到互连导电物20的外壳30。外壳30围绕裸片10的外围且具有开口32。成像器1还包括位于裸片10上方的透明盖40。
裸片10包括图像传感器12的阵列和多个接合垫14,所述接合垫14以电学方式耦合到图像传感器12的阵列。互连导电物20通常为具有多个接合垫22、多个球垫24和接线26的介电卡具,所述接线26将接合垫22以电学方式耦合到对应的球垫24。所述球垫24布置成阵列以用于将成像器1表面安装到另一装置的印刷电路板或模块。裸片10上的接合垫14通过线接合28以电学方式耦合到互连导电物20上的接合垫22,以提供接合垫14与球垫24之间的电通路。互连导电物20还可为引线框或陶瓷外壳。
图1中所示的成像器1还具有光学器件单元,其包括附接到外壳30的支撑件50和以可调整方式附接到支撑件50的筒(barrel)60。支撑件50可包括内螺纹52,且筒60可包括与螺纹52啮合的外螺纹62。光学器件单元还包括一个或一个以上透镜70,其由筒60承载。通过旋转筒60,可相对于图像传感器12恰当地定位透镜70。此后,筒60通过例如使用粘合剂而紧固到外壳30。
成像器装置的制造商不断地被迫使降低成本且改进制造效率和质量以在市场中保持竞争力。在已将裸片从晶片中单一化出来且附接到互连导电物衬底20之后,通常个别地针对每一裸片10单独地组装支撑件50和筒60。因此,非常需要增强封装微电子成像器的效率、可靠性和精确性。
发明内容
附图说明
可通过参看结合附图而阅读的以下描述来理解本发明,在附图中相同参考标号标识相同元件,且在附图中:
图1是说明性现有技术成像器装置的示意性描绘;
图2到图23描绘根据本文所描述的原理的用于封装集成电路装置的说明性工艺流程;
图24到图25分别描绘说明性实例的侧视图和平面图,其中一个或一个以上透镜可如本文所描述定位在承载器衬底中;
图26到图29描绘用于形成图24到图25所示的装置的说明性工艺流程;以及
图30到图32描绘用于形成本文所描述的装置的部分的替代技术。
尽管本文所揭示的标的物可具有各种修改和替代形式,但其特定实施例已在图式中以实例方式展示且在本文中详细描述。然而,应了解,本文中对特定实施例的描述不希望将本发明的范围限于所揭示的特定形式,而是相反地,本发明将涵盖属于如所附权利要求书所界定的本发明精神和范围内的所有修改、等效物和替代物。
具体实施方式
为了清楚起见,本说明书中并未描述本文所揭示的标的物的实际实施方案的所有特征。当然,将了解,在开发任何此类实际实施例的过程中,必须做出许多实施方案特定的决策以实现开发者的特定目标,例如遵守系统相关和商业相关的约束,所述约束将对于每个实施方案而有所不同。此外,将了解,此类开发努力可能是复杂且耗时的,但仍然将是得益于本发明的所属领域的技术人员的常规任务。出于清楚和解释目的,图式中所描绘的各种特征的相对大小可与真实装置上的那些特征或结构的实际大小相比而被夸大或减小。尽管如此,包括附图以描述和解释所揭示的标的物的说明性实例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的