[发明专利]平面扩展漏极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种平面扩展漏极晶体管，包括：

基片；

控制栅极；

漏极区；

沟道区；和

漂移区，其中所述漏极区、沟道区和漂移区设置在基片上或基片中，

其中所述漂移区设置在所述沟道区和所述漏极区之间；

其中所述控制栅极被至少部分地埋入到所述沟道区中，以得到控制栅极的埋入部分，其中所述埋入部分沿漏极区的方向延伸，所述埋入部分被沟道区完全包围；以及

其中所述漂移区包括的掺杂材料的密度低于所述漏极区的掺杂材料的密度。

2.根据权利要求1的平面扩展漏极晶体管，还包括：

控制栅极接触；和

源极区；

其中所述控制栅极接触被电连接至所述控制栅极；以及

其中所述源极区被至少部分地设置在所述沟道区和所述控制栅极接触之间。

3.根据权利要求2的平面扩展漏极晶体管，

其中所述控制栅极的埋入部分是由一平面层形成。

4.根据权利要求2的平面扩展漏极晶体管，

其中所述埋入部分由与控制栅极接触相连的多个控制栅极构成，

其中所述多个控制栅极具有圆形的截面。

5.一种制造平面扩展漏极晶体管的方法，包括步骤：

在基片上形成半导体层，其中所述半导体层具有与所述基片接触的第一侧和形成一个表面的第二相对侧；

通过去除在所述半导体层的第一部分中的该半导体层的一部分来形成伸入到该半导体层的第一部分中的一个沟槽，使得去除该半导体层的表面下方的所述沟槽的至少一部分；

在所述沟槽中形成控制栅极；

通过在所述半导体层中形成漏极区、源极区、漂移区和沟道区来形成平面扩展漏极晶体管，其中在所述第一部分中形成所述沟道区，使得所述控制栅极的至少一部分被掩埋在所述沟道区中，以得到控制栅极的埋入部分，其中所述埋入部分沿漏极区的方向延伸，所述埋入部分被沟道区完全包围。

6.根据权利要求5的方法，还包括步骤：

在所述基片的第二部分上形成中间层；以及

在所述基片和所述中间层上形成所述半导体层，使得所述半导体层的第一部分被设置在所述中间层上。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括步骤：

以所述中间层与所述沟槽接触的方式来实现形成所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括步骤：

通过在形成所述控制栅极之前通过去除所述中间层来形成一个空腔。

9.根据权利要求5所述的方法，还包括步骤：

形成控制栅极接触，所述控制栅极接触与在所述沟槽中形成的控制栅极连接，

其中所述源极区被至少部分地形成在所述沟道区和所述控制栅极接触之间。

10.根据权利要求5所述的方法，还包括步骤：

在所述半导体层的第一部分中形成多个沟槽；以及

在所述多个沟槽中形成多个控制栅极。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括步骤：

形成一个控制栅极接触，其与所述半导体层的第一部分中的所述多个控制栅极的至少几个接触。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括步骤：

从所述多个沟槽中形成多个管状空腔；和

在所述多个管状空腔中形成多个控制栅极。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括步骤：

在所述半导体层中形成另一个沟槽，其形成方式使得每一所述空腔的至少一部分暴露于所述另一个沟槽。