[发明专利]载置台结构和使用它的处理装置无效
申请号: | 200880009563.X | 申请日: | 2008-03-21 |
公开(公告)号: | CN101641768A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 川崎裕雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 结构 使用 处理 装置 | ||
1.一种载置台结构,其被配置在使用微波并实施规定的热处理的处理容器内,该载置台结构的特征在于,包括:
埋入有具有由非金属材料构成的发热体的加热单元并且载置被处理体的载置台;和
从所述处理容器的底部立起并支承所述载置台的支柱,
在所述载置台的上表面,设置有对所述微波的屏蔽部件。
2.根据权利要求1所述的载置台结构,其特征在于:
所述屏蔽部件设置在所述载置台的上表面的整个面上。
3.根据权利要求1所述的载置台结构,其特征在于:
所述屏蔽部件设置在所述载置台的上表面的除去载置所述被处理体的载置区域以外的整个面上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的载置台结构,其特征在于:
在所述载置台的侧面也设置有对所述微波的屏蔽部件。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的载置台结构,其特征在于:
所述屏蔽部件由半导体构成。
6.根据权利要求5所述的载置台结构,其特征在于:
所述半导体由选自C、Si、GaAs、GaN、SiC、SiGe、InN、AlN、ZnO、ZnSe中的一种材料构成。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的载置台结构,其特征在于:
所述屏蔽部件由导体构成。
8.根据权利要求7所述的载置台结构,其特征在于:
所述导体由选自Al、Al合金、Ni、Ni合金、Ti、Ti合金、W、W合金和它们中各金属的化合物中的一种材料构成。
9.根据权利要求1~3中任一项所述的载置台结构,其特征在于:
所述屏蔽部件的厚度在0.01mm~5mm的范围内。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的载置台结构,其特征在于:
在所述屏蔽部件的表面形成有由耐热耐腐蚀性材料构成的保护层。
11.一种被处理体的处理装置,其用于对被处理体实施规定的热处理,该被处理体的处理装置的特征在于,包括:
能够抽真空的处理容器;
配置在所述处理容器内,如权利要求1~10中任一项所述的载置台结构;
向所述处理容器内导入气体的气体导入单元;和
向所述处理容器内导入微波的微波导入单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造