[发明专利]载置台结构和使用它的处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于处理半导体晶片等被处理体的处理装置，和在该处理装置内使用的载置台结构。

背景技术

一般地，在制造期望的半导体集成电路时，对半导体晶片等被处理体反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等各种单片处理。在进行上述各种处理的情况下，根据该处理的种类，向各个处理容器内导入需要的处理气体，例如在成膜处理的情况下导入成膜气体，在改性处理的情况下导入臭氧气体等，在结晶化处理的情况下导入N₂气体等非活性气体、O₂气体等。

以对半导体晶片逐片地实施热处理的单片式的热处理装置为例进行说明，在能够抽真空的处理容器内，设置有内置有例如由钨、钼等高熔点金属构成的电阻加热器的载置台。在该热处理装置中，在载置台的上表面载置有半导体晶片的状态下，流通规定的处理气体，以规定的处理条件对晶片实施各种热处理。

如前所述，电阻加热器一般由钨、钼等高熔点金属材料构成。此外，构成载置台的材料一般为AlN等陶瓷材料。在这些材料中所包含的重金属等，在高温时由于热扩散而向处理容器内析出，有可能引起对晶片的金属污染等污染(contamination)。尤其是从构成加热器的高熔点金属材料中热扩散的重金属污染，可能性很大。

于是，作为消除该问题的对策，在日本特开2004-356624号公报、日本特开2005-167087号公报等中公开了下述方案，作为加热器材料使用重金属污染的可能性较小的钨丝加热器等的非金属材料，此外，作为载置台本身的材料使用能够使纯度较高的石英(玻璃)。由此，能够充分抑制金属污染等的发生。

这样的载置台结构，对于金属污染等是有效的，因此考虑在利用使用微波产生的等离子体对半导体晶片进行处理的等离子体处理装置中也应用该结构。

但是，如果在使用微波的等离子体处理装置中采用上述载置台结构，则导入到处理容器内的微波，被处理容器内的由具有从导体到半导体程度的电阻值的非金属材料构成的加热器吸收。在该情况下产生在加热器中发生局部异常发热，加热器本身消耗而寿命变短的问题。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，是有效解决上述问题发明。本发明的目的在于提供对于在载置台内设置的由非金属材料构成的发热体能够防止由微波引起的异常发热、消耗的发生，能够防止短寿命化的载置台结构和使用该载置台结构的处理装置。

本发明提供一种载置台结构，其被配置在使用微波并且实施规定的热处理的处理容器内，该载置台结构的特征在于，包括：埋入有具有由非金属材料构成的发热体的加热单元并且载置上述被处理体的载置台；和从上述处理容器的底部立起并支承上述载置台的支柱，在上述载置台的上表面，设置有对上述微波的屏蔽部件。

依据该特征，利用对微波的屏蔽部件保护载置台的上表面，因此能够防止由微波引起的由非金属材料构成的发热体异常发热或者消耗，能够防止其短寿命化。

例如，上述屏蔽部件设置于上述载置台的上表面的整个面。

或者，例如上述屏蔽部件设置在上述载置台的上表面的除去载置上述被处理体的载置区域以外的整个面。

此外，优选在上述载置台的侧面也设置有对上述微波的屏蔽部件。

此外，例如上述屏蔽部件由半导体构成。在该情况下，例如，上述半导体由选自C、Si、GaAs、GaN、SiC、SiGe、InN、AlN、ZnO、ZnSe中的一种材料构成。

或者，例如，上述屏蔽部件由导体构成。在该情况下，例如，上述导体由选自Al、Al合金、Ni、Ni合金、Ti、Ti合金、W、W合金以及它们中各金属的化合物中的一种材料构成。

此外，优选上述屏蔽部件的厚度在0.01mm～5mm的范围内。

此外，优选在上述屏蔽部件的表面形成有由耐热耐腐蚀性材料构成的保护层。

此外，本发明提供一种被处理体的处理装置，其用于对被处理体实施规定的热处理，该被处理体的处理装置的特征在于，包括：能够抽真空的处理容器；配置在上述处理容器内的具有上述任一个特征的载置台结构；向上述处理容器内导入气体的气体导入单元；和向上述处理容器内导入微波的微波导入单元。

附图说明

图1是表示本发明的处理装置的一个实施方式的概略结构图。

图2是表示本发明的载置台结构的一个实施方式的局部放大截面图。

图3是以透过率表示微波的阻挡效果的图表。

图4A～图4D是表示本发明的载置台结构的其他实施方式(变形例)的局部放大截面图。

具体实施方式