[发明专利]二次电池用正极材料的制造方法

权利要求书

1、一种制造方法，它是含有由下式表示的锂过渡金属硅酸盐的二次电池用正极材料的制造方法，

[化1]    Li_aM_bSi_cO₄

式中，

M为选自Mn、Fe、Co和Ni中的至少1种过渡金属，a、b和c为满足1＜a≤3、0.5≤b≤1.5、0.5≤c≤1.5的数，

其特征在于，该方法包括下述工序：将至少含有

(A)选自Mn、Fe、Co和Ni中的至少1种过渡金属和/或含有该过渡金属的金属化合物、

(B)锂化合物、和

(C)硅类高分子化合物

的混合物烧结，获得上述锂过渡金属硅酸盐。

2、权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在900℃以下的温度下进行上述烧结。

3、权利要求1所述的制造方法，其特征在于，锂过渡金属硅酸盐为平均一次粒径小于500nm的粒子。

4、权利要求1所述的制造方法，其中，(A)成分中的含有过渡金属的化合物为选自过渡金属的氧化物、过渡金属的氢氧化物、过渡金属的醇盐、过渡金属的羧酸盐、过渡金属的乙酰丙酮盐、过渡金属的乙基乙酰乙酸盐、过渡金属的碳酸盐、过渡金属的硝酸盐、过渡金属的硫酸盐、过渡金属的卤化物、以及过渡金属的羰基配合物中的至少1种过渡金属化合物。

5、权利要求1所述的制造方法，其中，(B)成分的锂化合物为选自锂的氧化物、锂的氢氧化物、锂的醇盐、锂的羧酸盐、锂的乙酰丙酮盐、锂的乙基乙酰乙酸盐、锂的碳酸盐、锂的硝酸盐、锂的硫酸盐、以及卤化锂中的至少1种锂化合物。

6、权利要求1或2所述的制造方法，其中，(C)成分的硅类高分子化合物为选自聚硅烷、聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚碳硅烷、以及它们的混合物中的至少1种硅类高分子化合物。

7、权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，(C)成分的硅类高分子化合物为由重复单元：

[化2]    C₆H₅SiO_1.5

表示的聚苯基倍半硅氧烷。

8、二次电池用正极材料，由权利要求1～7任一项所述的制造方法制造。

9、二次电池用正极，包含权利要求8所述的材料。

10、二次电池，具备权利要求9所述的正极。