[发明专利]片上存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种片上存储单元，包括：

三栅存取晶体管；以及

三栅电容器，

其中所述三栅存取晶体管和所述三栅电容器横跨纵横比至少为2∶1的硅肋 片。

2.如权利要求1所述的片上存储单元，其特征在于：

所述三栅电容器是反向模式三栅电容器和累积模式三栅电容器之一。

3.如权利要求2所述的片上存储单元，其特征在于：

所述反向模式三栅电容器具有单位面积上至少23fF的反向电荷电容以及 小于1nA的栅漏电流。

4.如权利要求1所述的片上存储单元，其特征在于：

所述硅肋片在所述三栅存取晶体管处具有第一纵横比且在所述三栅电容 器处具有第二纵横比。

5.如权利要求5所述的片上存储单元，其特征在于：

所述第一纵横比介于2∶1和5∶1之间；以及

所述第二纵横比至少为4∶1。

6.如权利要求1所述的片上存储单元，其特征在于：

所述三栅存取晶体管进一步包括所述硅肋片上的栅电介质层；以及

所述栅电介质层包括高k电介质材料。

7.一种片上存储单元，包括：

衬底；

所述衬底上的半导体肋片，所述半导体肋片包括硅，并且所述半导体肋片 具有至少2∶1的纵横比；

所述半导体肋片的至少一部分上的栅电介质层；

在所述栅电介质层上横跨所述半导体肋片的第一栅电极；

在所述半导体肋片中所述第一栅电极的第一侧处的第一漏区；

在所述栅电介质层上横跨所述半导体肋片的第二栅电极；

在所述半导体肋片中所述第二栅电极的第一侧处且在所述第一栅电极和 所述第二栅电极之间的源区；以及

在所述半导体肋片中所述第二栅电极的第二侧处的第二漏区。

8.如权利要求7所述的片上存储单元，其特征在于：

所述片上存储单元是DRAM单元；

所述第一栅电极构成所述DRAM单元的存取晶体管；以及

所述第二栅电极构成所述DRAM单元的电容器。

9.如权利要求8所述的片上存储单元，其特征在于：

所述DRAM单元的所述存取晶体管包括三栅存取晶体管；以及

所述DRAM单元的所述电容器包括三栅存储电容器。

10.如权利要求9所述的片上存储单元，其特征在于：

所述三栅存储电容器是反向模式电容器。

11.如权利要求10所述的片上存储单元，其特征在于：

所述三栅存储电容器具有单位面积上至少23fF的反向电荷电容以及小于 1nA的栅漏电流。

12.如权利要求7所述的片上存储单元，其特征在于：

所述栅电介质层包括高k电介质材料。

13.如权利要求7所述的片上存储单元，其特征在于：

所述衬底是体硅衬底；以及

所述半导体肋片在所述第一栅电极处具有第一高度且在所述第二栅电极 处具有第二高度。

14.如权利要求13所述的片上存储单元，其特征在于：

所述第二高度大于所述第一高度。

15.如权利要求7所述的片上存储单元，其特征在于：

所述第一漏区电连接至所述片上存储单元的列位线；以及

所述第一栅电极电连接至所述片上存储单元的行字线。