[发明专利]等离子处理装置无效

专利信息
申请号: 200880009956.0 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN101658076A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 竹内裕人;中森勇一;功刀俊介 申请(专利权)人: 积水化学工业株式会社
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24;H01L21/3065;H01L21/304
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子处理装置,其在放电空间内使处理气体等离子化并喷出,使处理气体与配置在所述放电空间外部的被处理物配置部的被处理物接触,进行等离子表面处理,其特征在于,具有:

电场施加电极,其与电源连接;

接地电极,其具有朝向所述电场施加电极的放电面和朝向所述被处理物配置部的处理面,且电性接地;

介电部件,其由固体电介质构成,且所述固体电介质与所述接地电极的放电面抵接且面向所述电场施加电极而形成所述放电空间,

在所述介电部件形成有与所述放电空间相连的喷出导孔,

在所述接地电极形成有与所述喷出导孔相连且从所述放电面贯通到所述处理面的喷出口,

所述介电部件中的所述喷出导孔的内面比所述接地电极中的所述喷出口的内面的所述放电面侧的端缘向喷出口的径向内侧突出,

所述介电部件具有:抵接面,其与所述接地电极的放电面抵接;阶梯面,其从该抵接面齐面延长并形成所述喷出导孔的内面与所述喷出口的内面之间的阶梯。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述喷出口的尺寸及形状在该喷出口的贯通方向上恒定。

3.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述喷出口在所述处理面的端部处的尺寸比所述喷出口在所述放电面侧的端部处的尺寸小。

4.根据权利要求3所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述喷出口的尺寸随着接近所述处理面而平滑地变小。

5.根据权利要求3或4所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述喷出口在所述处理面侧的端部处的尺寸及形状与所述喷出导孔的尺寸及形状大致相同。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的等离子处理装置,其特征在于,

还具有位置限制机构,其相对于所述接地电极在与所述放电面平行的面内容许误差的同时限制所述介电部件的位置,

使所述介电部件位于正常位置的状态下的所述阶梯面沿所述突出方向的宽度比所述误差的容许量大。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

还具有覆盖部件,其由与所述介电部件独立的绝缘体构成,并以覆盖所述接地电极的喷出口的内面的方式进行设置。

8.根据权利要求7所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述覆盖部件的厚度与所述阶梯面沿所述突出方向的宽度大致相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水化学工业株式会社,未经积水化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880009956.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top