[发明专利]用于确定写入策略的装置和方法、记录数据的装置和方法无效

专利信息
申请号: 200880010087.3 申请日: 2008-01-10
公开(公告)号: CN101647063A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 黄郁渊;李坰根;黄仁吾 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B7/004 分类号: G11B7/004
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;马翠平
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 确定 写入 策略 装置 方法 记录 数据
【说明书】:

本申请请求于2007年3月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第2007-29369号的利益,该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明的多个方面涉及一种用于当将数据记录到光盘上时确定最佳写入策略的装置和方法,以及一种记录数据的装置和方法。

背景技术

随着传统CD-ROM的存储容量达到上限,已经开发了数字多功能盘(DVD)作为新的存储媒体。在操作机制上,DVD基本上与CD没什么不同。即,在CD和DVD中,光量的差异被识别,用来表示二进制数据,例如,“0”或“1”。然而,与CD相比,在DVD中,数据的轨道的存储宽度较小。

CD和DVD可以被分为三种类型,包括:只读存储器(ROM)类型、一次写入多次读取存储器(WORM)类型和可再写类型。

用于在光盘(如,CD或DVD)上记录数据以及再现光盘中的数据的光学记录和再现装置通过照射具有改变信息记录层的物理特性的高能量的光束将信息记录在光盘上。此外,光学记录和/或再现装置通过使用具有不改变信息记录层的物理特性的低能量的光束从光盘上再现信息。即,当记录数据时,通常是通过驱动具有高的记录功率的激光二极管(LD)在光盘上形成凹坑来记录信息。这里,在光盘上形成凹坑的过程被称为写入策略。

由于激光光束入射到与反射面相对的光盘的表面,因此,凹坑看起来像是从激光入射侧突出的凸起。凹坑的宽度范围从0.4um到0.6um。凹坑的长度以及相邻凹坑的间隔依赖于光盘的类型。对于CD,所述间隔的范围从3T到11T,其中,T是时钟脉冲的长度(例如,2T是两个时钟脉冲的长度,9T是九个时钟脉冲的长度)。对于DVD,间隔的范围从3T到14T。对于蓝光光盘(BD),间隔的范围从2T到9T。

写入策略是指激光聚焦时间和激光的功率的幅值。记录有数据的光盘的再现质量依赖于激光聚焦时间和激光的功率的幅值。当相同的写入策略被应用于不同的光盘或记录和再现装置时,信号质量可能会变劣。因此,为了获得高的再现质量,必须确定合适的写入策略。

发明内容

技术方案

本发明的多个方面在于提供一种基于盘或记录和再现装置来确定最佳写入策略的装置和方法以及通过使用确定的写入策略记录数据的装置和方法。

有益效果

根据本发明的多个方面,可通过基于盘或记录和再现装置确定最佳写入策略来提高数据记录和再现质量。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的确定写入策略的装置的框图。

图2A至图2C是示出RF信号和抖动之间的关系的图表。

图3A和图3B是示出RF信号和抖动之间的关系的图表。

图4是示出计算抖动值的方法的参考视图。

图5是示出图1所示的确定单元的详细结构的框图。

图6是示出由测量的抖动值构造的抖动矩阵的例子的表。

图7是示出写入策略的结构的例子的参考视图。

图8是抖动值和抖动值的发生频率相对于激光聚焦时间的图表。

图9是正的抖动发生的频率和负的抖动发生的频率之间的差值的图表。

图10示出了正的抖动发生的频率和负的抖动发生的频率之间的差值被转换为一阶近似公式(first order approximated formula)的例子。

图11A和图11B是示出通过确定写入策略变换的抖动发生的频率的参考视图。

图12示出了通过改变写入策略以及基于改变的写入策略将数据记录到测试区来确定最佳写入策略的过程的例子。

图13是示出根据本发明的实施例确定写入策略的方法的流程图。

图14是示出根据本发明的实施例记录数据的方法的流程图。

最佳实施方式

根据本发明的一方面,提供了一种确定写入策略的方法,所述方法包括:基于多个写入策略以不同尺寸的标记和空白记录测试数据;再现记录的测试数据;针对所述多个写入策略的每一个测量再现的测试数据的抖动值;根据测量的抖动值确定最佳写入策略。

通过使用测量的抖动值确定最佳写入策略的步骤可包括:通过使用测量的抖动值针对每个尺寸的标记和空白构造抖动矩阵;根据抖动矩阵确定最佳写入策略为测量的抖动值的绝对值为最小的写入策略。

多个写入策略可具有多种激光聚焦时间长度。

在使用测量的抖动值针对每个尺寸的标记和空白构造抖动矩阵的步骤中,可通过使用测量抖动值分别构造正的矩阵和负的矩阵。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880010087.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top