[发明专利]用于一致触发具有可调触发电压的多触指半导体器件的结构和电路技术

权利要求书

1.一种半导体电路，包括：

具有多个触指的半导体器件，其中，所述多个触指以并联连接方式连接； 以及

至少一个外部电流注入源，其被连接到所述多个触指的组件，其中所述 多个触指中的至少一个没有附接外部电流注入源。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述半导体器件为金属 氧化物半导体场效应晶体管，并且，所述组件为所述半导体器件的本体。

3.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述半导体器件为半导 体闸流管，并且，所述组件为所述半导体闸流管的栅极。

4.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，所述并联连接的第一端 连接到第一电源，并且，所述并联连接的第二端被连接到第二电源。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，还包括：所述多个触指中的每 个的所述组件和衬底环触点之间的寄生电阻器。

6.根据权利要求5所述的半导体电路，其中，所述至少一个外部电流 注入源直接连接到电源，所述多个触指的漏极或阳极直接连接到该电源。

7.根据权利要求6所述的半导体电路，其中，所述寄生电阻器集合的 一组电阻值在该组内具有至少一个不相等的值。

8.根据权利要求7所述的半导体电路，其中，所述多个触指中的至少 三个具有匹配的触发电压。

9.根据权利要求8所述的半导体电路，其中，所述多个触指的全部具 有匹配的触发电压。

10.根据权利要求9所述的半导体电路，其中，所述外部电流注入源中 的至少一个具有调节注入电流量的可调组件。

11.根据权利要求7所述的半导体电路，其中，至少一个外部电流注入 源注入与另一个外部电流注入源不同量的注入电流。

12.根据权利要求11所述的半导体电路，其中，所述多个触指中的至 少三个具有匹配的触发电压。

13.根据权利要求12所述的半导体电路，其中，所述多个触指的全部 具有匹配的触发电压。

14.根据权利要求13所述的半导体电路，其中，所述半导体器件为金 属氧化物半导体场效应晶体管，并且，所述组件为所述半导体器件的本体。

15.根据权利要求13所述的半导体电路，其中，所述半导体器件为半 导体闸流管，并且，所述组件为所述半导体闸流管的栅极。

16.根据权利要求13所述的半导体电路，其中，所述外部电流注入源 的至少一个具有调节注入电流量的可调组件。

17.一种半导体电路，包括：

具有多个触指的半导体器件，其中，所述多个触指以并联连接方式连接， 所述多个触指中的至少一个没有附接外部电流注入源；

至少两个MOSFET，其中，所述至少两个MOSFET中的至少一个不同 于所述至少两个MOSFET中的另一个，所述至少两个MOSFET的漏极被连 接到电源，并且，所述至少两个MOSFET的源极被连接到所述多个触指之 一的至少一个组件；以及

所述电源和地之间的、电阻器和电容器的至少一个串联连接，其中，所 述串联连接中的节点被连接到所述至少两个MOSFET的栅极。

18.根据权利要求17所述的半导体电路，还至少包括电阻器和电容器 的串联连接，并且，所述串联连接中的至少一个不同于所述串联连接中的另 一个。

19.根据权利要求17所述的半导体电路，其中，所述多个触指的全部 具有基本上匹配的触发电压。