[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)使用由具有碳和氟的气体所形成的等离子体，在衬底上形成包含 氟掺杂碳膜的内绝缘膜；

(b)在所述内绝缘膜上形成金属膜；

(c)蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；

(d)通过使用所述硬掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜以在所述氟掺杂碳 膜中形成凹陷部分；

(e)在所述衬底上形成配线材料膜，以利用所述配线材料填充所述凹 陷部分；

(f)将所述氟掺杂碳膜上的过量部分的所述配线材料和所述硬掩模移 除，以暴露所述氟掺杂碳膜的表面；和

(g)移除在所述氟掺杂碳膜表面上形成的氧化物，

其中所述步骤(b)在所述内绝缘膜上直接形成金属膜。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述具有碳和氟 的气体是具有直链结构的C₅F₈气体。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中所述C₅F₈气体包 含三键。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属是Ti、 Ta、W和Al中的一种。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

在所述硬掩模上形成牺牲膜；和

使用所述牺牲膜作为掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜，使得在所述氟掺杂 碳膜中形成凹陷部分。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(f)通 过抛光所述配线材料表面的工艺来提供。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(g)通 过在所述衬底的表面上提供有机酸的液体或所述有机酸的蒸气来实施。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(g)通 过在还原气体气氛中对所述衬底进行退火来提供。

9.一种半导体器件，包括：

下部电路层，其具有包含氟掺杂碳膜的内绝缘膜以及在所述内绝缘膜 中填充的配线材料；

阻挡膜，在所述下部电路层上直接形成以抑制所述配线材料扩散；

在所述阻挡膜上形成的具有氟掺杂碳膜的另一内绝缘膜；和

通过供给另一配线材料以填充上述另一内绝缘膜而提供的上部电路 层，

其中所述下部电路层的所述内绝缘膜和所述配线材料直接接触所述阻 挡膜。