[发明专利]等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质

权利要求书

1.一种等离子体氧化处理方法，其对具有凹凸图案的被处理体实 施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜，其特征在于：包括：

在设置于等离子体处理装置的处理室内的载置台上，放置具有凹 凸图案的被处理体；

向所述处理室内供给氧的比率是0.5％以上不足10％的处理气体， 将所述处理室内的压力保持为1.3～665Pa；

向所述处理室内导入微波从而生成等离子体，

对所述载置台供给高频电力对所述被处理体施加高频偏压，以对 设置于所述载置台的所述被处理体引入离子，同时通过该等离子体对 被处理体实施氧化处理，其中，

所述高频偏压的输出为5～3600W，

所述高频偏压的频率为300kHz～60MHz，

所述处理室内的处理温度为200～800℃。

2.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

处理气体中的氧的比率为0.5～5％。

3.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

处理气体中的氧的比率为0.5～2.5％。

4.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述处理室内的压力为1.3～266.6Pa。

5.如权利要求4所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述处理容器内的压力为1.3～133.3Pa。

6.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述高频偏压的输出为每被处理体的面积0.015～5W/cm²。

7.如权利要求6所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述高频偏压的输出为每被处理体的面积0.05～1W/cm²。

8.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述高频偏压的频率为400kHz～27MHz。

9.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述处理气体含有0.1～10％比率的氢。

10.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述凹凸图案至少形成于被处理体的硅部分。

11.如权利要求10所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述凹凸图案形成于被处理体的硅部分和绝缘膜部分，至少凹部 形成于被处理体的硅部分。

12.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述等离子体，是通过所述处理气体和微波形成的微波激励等离 子体，所述微波通过具有多个狭缝的平面天线被导入到所述处理室内。

13.如权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述高频偏压的输出为10～1000W。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

对被处理体进行等离子体处理的能够真空排气的处理室；

配置在所述处理室内，载置被处理体的载置台；

与向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给机构连接的气体 导入部；

在所述处理室内导入微波从而生成所述处理气体的等离子体的等 离子体生成机构；和

控制部，其按照以下方式进行控制，即：使处理气体中的氧的比 率为0.5％以上不足10％，使所述处理室内的压力为1.3～665Pa，对所 述载置台供给高频电力对所述被处理体施加高频偏压，以对设置于所 述载置台的所述被处理体引入离子，同时通过该等离子体对被处理体 实施氧化处理。