[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件(90)的方法，包括下述各步骤：

形成由碳化硅构成的半导体膜(11)；

在所述半导体膜(11)的表面等间隔地形成三个或者更多的沟槽 (20)；

通过向所述半导体膜(11)表面提供硅来对所述半导体膜(11) 进行热处理；以及

在通过所述热处理步骤的所述半导体膜(11)的表面，获得多个 宏台阶(1)以构造至少一个沟道(16)，以消除所述沟槽(20)。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件(90)的方法，其中， 所述沟槽(20)的一个周期的长度(L)大于或等于1.5μm并且小于 或等于1152μm，并且所述沟槽(20)的深度(h)大于或等于0.1μm 并且小于或等于20μm。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件(90)的方法，其中， 所述沟槽(20)的所述深度(h)小于或等于15μm。

4.一种制造半导体器件(90)的方法，包括下述步骤：

形成由碳化硅构成的半导体膜(11)；

在所述半导体膜(11)的表面形成沟槽(20)；

通过向所述半导体膜(11)表面提供硅来对所述半导体膜(11) 进行热处理；以及

在通过所述热处理步骤的所述半导体膜(11)的表面，获得多个 宏台阶(1)以构造至少一个沟道(16)，以消除所述沟槽(20)，其 中

设所述沟槽(20)的一个周期的长度为L并且所述沟槽(20)的 深度为h，在所述一个周期的长度L和所述深度h之间保持关系式L＝ h(cotα+cotβ)，其中，设所述多个宏台阶(1)中的每个宏台阶的 晶面相对于所述半导体膜(11)的表面的倾斜角为α和β，其中α是斜角， β是阶崖角，α和β是满足关系式0°≤α+β≤90°和0.5°≤α＜β的变量。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件(90)的方法，其中， 所述沟槽(20)的一个周期的长度(L)大于或等于1.5μm并且小于或 等于1152μm，并且所述沟槽(20)的深度(h)大于或等于0.1μm并 且小于或等于20μm。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件(90)的方法，其中， 所述沟槽(20)的深度(h)小于或等于15μm。

7.一种半导体器件(90)，其包含由碳化硅构成的半导体膜(11)， 其中，

所述半导体膜(11)在其表面具有等长的第一、第二和第三宏台 阶(1)，

所述第一宏台阶和所述第三宏台阶设置在所述第二宏台阶的两 侧，

在所述第一宏台阶(1)处形成有第一MOS晶体管(50)的第一 沟道(16)，并且在所述第三宏台阶(1)处形成第二MOS晶体管(50) 的第二沟道(16)。

8.根据权利要求7所述的半导体器件(90)，其中，所述第一、 第二和第三宏台阶(1)的至少一个包括{0001}面，所述{0001}面在 <1-100>方向上在-30°至+30°的范围内倾斜。

9.根据权利要求7所述的半导体器件(90)，其中，所述半导体 膜(11)的表面具有相对于{0001}面倾斜大于或等于0.5°并且小于或等 于56°的角度的面方向。

10.根据权利要求7所述的半导体器件(90)，其中，当在垂直 于所述第一、第二和第三宏台阶(1)的横截面观察时，所述第一、第 二和第三宏台阶(1)的至少一个包括相对于{0001}面形成55°±5°、 62°±5°或90°±5°的角度的面。