[发明专利]制备基于用于pcLED的原硅酸盐的磷光体的方法

权利要求书

1.一种用于制备式I的磷光体的方法

Ba_wSr_xCa_ySiO₄:zEu²⁺(I)

其中

w+x+y+z＝2

0.005＜z＜0.5，

其特征在于

a)将至少两种碱土金属和含铕掺杂剂以盐、硝酸盐、草酸盐、氢氧化物或 其混合物形式溶解或悬浮于水、酸或碱中，并且

b)加入含硅化合物，以及

c)向这种混合物中加入无机或有机沉淀剂，以及

d)通过热后处理将形成的磷光体前体转化为最终的磷光体。

2.一种用于制备式I的磷光体的方法

Ba_wSr_xCa_ySiO₄:zEu²⁺(I)

其中

w+x+y+z＝2

0.005＜z＜0.5，

其特征在于

a)将至少两种碱土金属和含铕掺杂剂以盐、硝酸盐、草酸盐、氢氧化物或 其混合物形式溶解、分散或悬浮于水、酸或碱中，并且

b)将这种溶液、分散体或悬浮液加入到含硅的混合物中并且在升高的温度 下转化为磷光体前体，以及

c)然后通过热后处理将干燥的磷光体前体转化为最终的磷光体。

3.根据权利要求1和/或2的方法，其特征在于无机盐作为助熔剂在 热后处理之前或期间加入。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于含硅化合物为有机硅化合物， 优选为硅酸酯。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于含硅化合物为无机硅化合物， 优选为精细分散的SiO₂溶胶或凝胶。

6.根据权利要求2的方法，其特征在于含硅混合物由二羧酸、优选 草酸，以及无机硅化合物、优选二氧化硅组成。

7.根据权利要求2的方法，其特征在于含硅混合物由二羧酸、优选 草酸，以及有机硅化合物、优选硅酸酯组成。

8.根据权利要求1到7中一项或多项的方法，其特征在于热后处理 在还原性合成气气氛中进行。

9.根据权利要求1到8中一项或多项的方法，其特征在于热后处理 在热反应器中进行，例如旋转管式炉、箱式炉或管式炉，或者在流化床反 应器中进行。

10.根据权利要求1到9中一项或多项的方法，其特征在于磷光体的 表面是进一步结构化的。

11.根据权利要求1到10中一项或多项的方法，其特征在于磷光体 进一步具有承载有SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、ZnO、ZrO₂和/或Y₂O₃或其混合 氧化物或承载有磷光体组合物的纳米颗粒的粗糙表面。

12.根据权利要求1到10中一项或多项的方法，其特征在于磷光体 的表面进一步具有SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、ZnO、ZrO₂和/或Y₂O₃或其混合 氧化物的封闭涂层。

13.根据权利要求1到10中一项或多项的方法，其特征在于磷光体 表面具有SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、ZnO、ZrO₂和/或Y₂O₃或其混合氧化物或 磷光体组合物的多孔性涂层。

14.根据权利要求1到13中一项或多项的方法，其特征在于磷光体 表面进一步具有促进与环境化学连接的官能团，优选包含环氧或硅树脂。