[发明专利]电路保护装置及其制造方法有效
申请号: | 200880011471.5 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101652860A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 朴寅吉;卢泰亨;张奎喆;李明镐;金炅泰;李尙奂 | 申请(专利权)人: | 英诺晶片科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 保护装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电路保护装置,其特征在于其包括:
具有多个薄片的共模噪声滤波器,所述薄片中的每一者经形成为任选地包含线圈图案、内部电极、被导电材料填充的孔,和被磁性材料填充的孔;以及
具有多个薄片的静电放电(ESD)保护装置,所述薄片中的每一者经形成为任选地包含内部电极和被ESD保护材料填充的孔。
2.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于其进一步包括分别形成在所述共模噪声滤波器的顶部和所述ESD保护装置的底部上的上部和下部覆盖层。
3.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于其进一步包括:
第一外部电极,其经形成为连接到所述共模噪声滤波器和所述ESD保护装置的一些所述内部电极;以及
第二外部电极,其经形成为连接到所述ESD保护装置的一些所述内部电极,
其中所述第一外部电极连接在输入/输出端子与电路之间,且所述第二外部电极连接到接地端子。
4.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于所述共模噪声滤波器包括:
第一薄片,其具有形成在其上的被磁性材料填充的第一孔;
第二薄片,其具有形成在其上的第一线圈图案、第一内部电极、被导电材料填充的第一孔,和被磁性材料填充的第二孔;
第三薄片,其具有形成在其上的第二线圈图案、第二内部电极、被导电材料填充的第二和第三孔,和被磁性材料填充的第三孔;以及
第四薄片,其具有形成在其上的第三和第四内部电极,和被磁性材料填充的第四孔,
其中所述第一线圈图案穿过被所述导电材料填充的所述第一和第二孔而连接到所述第三内部电极,且所述第二线圈图案穿过被所述导电材料填充的所述第三孔而连接到所述第四内部电极。
5.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于所述共模噪声滤波器包括:
第一薄片,其具有至少一个被磁性材料填充的第一孔;
第二薄片,其中从暴露于其外部的至少一个第一内部电极朝向将要被导电材料填充的形成在预定区处的至少一个第一孔而形成至少一个第一线圈图案,所述第一线圈图案围绕至少一个被磁性材料填充的第二孔;
第三薄片,其中从暴露于其外部的至少一个第二内部电极朝向将要被导电材料填充的形成在预定区处的至少一个第二孔而形成至少一个第二线圈图案,其中所述第二线圈图案围绕至少一个被磁性材料填充的第三孔,且至少一个被导电材料填充的第三孔经形成为与所述第三薄片上的所述至少一个第二孔间隔开;以及
第四薄片,其中形成被至少一个磁性材料填充的第四孔,形成穿过被所述导电材料填充的所述第一和第三孔而连接到所述第一线圈图案并暴露于外部的至少一个第三内部电极,且形成穿过被所述导电材料填充的所述第二孔而连接到所述第二线圈图案并暴露于外部的至少一个第四内部电极。
6.根据权利要求4或5所述的电路保护装置,其特征在于所述第一和第二线圈图案围绕被所述磁性材料填充的所述第一到第四孔而形成为螺旋形状。
7.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于所述ESD保护装置包括:
第一薄片,其具有从预定区延伸以暴露于其外部而形成的并彼此间隔开的多个第一内部电极;
第二薄片,其具有彼此间隔开预定距离并被所述ESD保护材料填充的多个第一孔;
第三薄片,其具有分别形成在顶部和底部表面上以穿过对应于所述多个第一孔的部分的第二和第三内部电极;
第四薄片,其具有形成在对应于所述多个第一孔的位置处并被所述ESD保护材料填充的多个第二孔;以及
第五薄片,其具有从对应于所述多个第一和第二孔的位置延伸以暴露于其外部而形成的多个第四内部电极。
8.根据权利要求2所述的电路保护装置,其特征在于所述上部和下部覆盖层、所述共模噪声滤波器以及所述ESD保护装置是由非磁性薄片形成。
9.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于所述ESD保护材料包含混合物,其中有机材料与选自RuO2、Pt、Pd、Ag、Au、Ni、Cr、W及其组合的一种导电材料相混合。
10.根据权利要求9所述的电路保护装置,其特征在于所述ESD保护材料是通过进一步将变阻器材料或绝缘陶瓷材料与所述混合物混合而制备的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺晶片科技股份有限公司,未经英诺晶片科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880011471.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池的氮氧化物钝化
- 下一篇:用于检测半导体设备的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的