[发明专利]含铱元素的荧光体及其制造方法

权利要求书

1.一种荧光体，其特征在于，其是以包含铱元素的第II- 第VI族化合物半导体作为母体的荧光体，铱元素从荧光体表面 至内部均匀地分散。

2.根据权利要求1所述的荧光体，相对于荧光体表面所含 的铱元素含量的、荧光体内部的铱元素含量的变化率在±5％以 内。

3.权利要求1所述的含铱荧光体的制造方法，其特征在于， 其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组 合物进行烧成的工序，使用铱络合物作为铱化合物。

4.权利要求1所述的含铱荧光体的制造方法，其特征在于， 其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组 合物进行烧成的工序，其中，无机组合物是通过将第II族金属 盐、第VI族化合物以及铱络合物在水性介质中混合而得到的。

5.根据权利要求4所述的制造方法，无机组合物是通过如 下方式获得的，即，使铱络合物存在于包含第II族金属盐的水 溶液以及包含第VI族化合物的水性溶液的至少一者中，将上述 包含第II族金属盐的水溶液与包含第VI族化合物的水性溶液混 合，得到所述无机组合物。

6.根据权利要求3所述的制造方法，铱络合物为六氯铱盐。