[发明专利]含铱元素的荧光体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及含铱元素的荧光体及其制造方法。进一步详细 地说，本发明涉及如下所述的荧光体及其制造方法，所述荧光 体以第II-第VI族化合物半导体作为母体，铱元素从荧光体颗粒 表面至内部均匀地分散。

背景技术

以化合物半导体作为主要构成材料的无机组合物在荧光、 磷光等发光材料、蓄光材料等领域中使用。这些无机组合物中 还包括具有通过电能发光的特性的组合物，因而一部分用于光 源、显示等用途中。然而，目前所知的材料在电能的光转换效 率方面并不充分、色纯度低，因而存在发热、消耗电力等问题， 难以用于光源用途、显示器用途中，而且还存在需要大量使用 价格高的稀土类盐而不经济等问题。

在以化合物半导体作为主要构成材料的无机组合物中，已 知作为能够有效发光的发光材料的原料使用包含铱元素的无机 组合物(专利文献2)。然而，在专利文献2公开的含铱元素的第 II-第VI族化合物半导体中，由于并没有记载铱元素的含量，因 而其详细内容并不清楚，至少完全没有记载其分散性。

特别是蓝色荧光体不仅作为单色的发光材料有用，作为白 色的发光材料也有用。

在以第II-第VI族化合物半导体作为主要构成要素的荧光 体中，已知：作为蓝色荧光体，使用掺杂铜的荧光体(例如，参 照非专利文献1)、掺杂铥(Tm)的荧光体(例如，参照非专利文献 2)等。另外，还已知：将第II-第VI族化合物半导体在水热条件 下等调制出的产物(例如，参照专利文献1)、进一步使用镨作为 掺杂剂的产物(参照非专利文献3)。

另外，存在使用铱的发光体的例子(专利文献2)。

专利文献1：日本特开2005-36214号公报

专利文献2：日本特开2006-143947号公报

非专利文献1：Journal of Luminescence 99(2002)325-334

非专利文献2：Journal Non-Crystalline Solids 352(2006) 1628-1631

非专利文献3：Japanese Journal of Applied Physics Vol44 No.10，2005，p7694-7697

发明内容

发明所要解决的问题

如上所述，目前已知的荧光材料的用途受到限定，要求解 决能量效率、色纯度、经济性问题等问题。

特别是，目前已知的蓝色荧光材料存在以下问题：能量效 率、色纯度低，难以用于光源用途、显示器用途，需要大量使 用价格高的稀土类盐而不经济等。因此需要解决这些问题。另 外，使用铱化合物，对专利文献2进行了验证，结果发现：荧光 体内有时析出铱金属，不一定能稳定地发挥荧光体的发光性能。

因此，本发明的目的在于，提供能够有效发光的含有铱元 素的荧光体及其制造方法。

用于解决问题的方法

本发明人等研究了以第II-第VI族化合物半导体作为母体 的荧光体中的含有铱元素的荧光体，对以下问题进行了研究： 铱元素局部存在于第II-第VI族化合物半导体的颗粒表面或者 颗粒间的铱元素含量不均时，不能对提高荧光体效率有足够的 贡献；以及在以第II-第VI族化合物半导体作为母体的情况下， 铱元素与其他元素相比掺杂时显示出特异行为；在将铱元素掺 杂到第II-第VI族化合物半导体的情况下，容易形成荧光体而不 经由前体。基于该见解，发现通过将颗粒间以及荧光体内部的 铱元素的含量均匀化，能够得到适于上述目的的荧光体，从而 完成本发明。

即，本发明是一种荧光体，其特征在于，其是以包含铱元 素的第II-第VI族化合物半导体作为母体的荧光体，铱元素从荧 光体表面至内部均匀地分散。

本发明人等发现，通过在第II-第VI族化合物半导体中使用 铱络合物，能够解决上述问题。即，本发明提供如下方案。

含铱荧光体的制造方法，其特征在于，其包括将包含第 II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组合物进行烧成的 工序，使用铱络合物作为铱化合物。