[发明专利]应变强化型半导体器件及用于该半导体器件制作的方法

权利要求书

1.一种用于制造应变强化型半导体器件(30)的方法，该半导体器件包 括具有表面(32)的半导体衬底(36)以及包括由在该半导体衬底(36)中的 沟道区(70、72)分隔开的形成在其中的源极区(103、107)和漏极区(105、 109)以及覆盖于该沟道区(70、72)上的栅极电极(66、68)，该方法包括 以下步骤：

外延生长第一和第二应变引发半导体材料(102、106)以在该源极 区(103、107)和漏极区(105、109)中嵌入该应变引发半导体材料(102、 106)；

在被嵌入在该源极区(103、107)和漏极区(105、109)的该第一和 第二应变引发半导体材料的表面上沉积硅化物形成金属层并加热以 直接沿着被嵌入在该源极区(103、107)和漏极区(105、109)的该第一 和第二应变引发半导体材料的该表面形成金属硅化物接触件(112)， 且该金属硅化物接触件(112)延伸进入该源极区(103、107)和该漏极 区(105、109)到达大约5奈米或更少的深度，使得由在该源极区(103、 107)和漏极区(105、109)中的该嵌入的第一与第二应变引发半导体材 料(102、106)在该沟道区(70、72)上引发的应变不被消除；

无电镀沉积晶种层(114)，该晶种层(114)包括覆盖被嵌入在该源 极区(103、107)和漏极区(105、109)的该第一和第二应变引发半导体 材料的该表面的钯，其中该晶种层(114)与该金属硅化物接触件(112) 物理性接触；

无电镀沉积导电层(116)，该导电层(116)包括覆盖该晶种层(114) 的钴和钨；

随后，不移除该至少一层的导电层(116)，沉积覆盖于该导电层 (116)的绝缘层(118)；

蚀刻形成穿透该绝缘层(118)的接触开口(120)；以及

在该接触开口(120)中形成物理性接触该导电层(116)的金属化接 触件(122)，

其中，该金属硅化物接触件(112)覆盖并物理性接触该应变引发 半导体材料(102、106)。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

沉积一层覆盖于该栅极电极的受应力的绝缘材料(150、152)的步 骤。