[发明专利]小间距微触点及其形成方法

权利要求书

1、一种形成微触点的方法，包括：

(a)在衬底的顶表面上的选定位置处提供第一耐蚀刻材料；

(b)在未被所述第一耐蚀刻材料覆盖的位置处蚀刻所述衬底的顶表面， 由此在所述选定位置处形成从所述衬底向上突出的第一微触点部分；

(c)在所述第一微触点部分上提供第二耐蚀刻材料；以及

(d)进一步蚀刻所述衬底以在所述第一微触点部分下方形成第二微触 点部分，所述第二耐蚀刻材料至少部分保护所述第一微触点部分在所述进 一步蚀刻步骤期间不被蚀刻。

2、根据权利要求1所述的方法，其中，执行蚀刻所述顶表面的步骤， 使得所述第一耐蚀刻材料从所述第一微触点部分横向突出。

3、根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述第二耐蚀刻材料的步 骤包括沉积所述第二耐蚀刻材料以及将所沉积的材料暴露于辐射。

4、根据权利要求3所述的方法，其中，在将所沉积的材料暴露于辐射 的步骤期间，所述横向突出的第一耐蚀刻材料保护所沉积的第二耐蚀刻材 料的多个部分不受辐射。

5、根据权利要求1所述的方法，还包括去除所述第一和第二耐蚀刻材 料。

6、根据权利要求1所述的方法，其中，在选定位置提供所述第一耐蚀 刻材料的步骤包括在所述衬底的顶表面上沉积所述第一耐蚀刻材料，所述 暴露步骤包括在所述第一耐蚀刻材料上放置掩模。

7、根据权利要求6所述的方法，其中，将所述第一耐蚀刻材料和所述 掩模暴露于辐射。

8、根据权利要求1所述的方法，还包括形成第三微触点部分。

9、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二耐蚀刻材料为 金。

10、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二耐蚀刻材料 为光刻胶。

11、一种形成微触点的方法，包括：

(a)向加工过程中的衬底施加最终耐蚀刻材料，使得所述最终耐蚀刻材 料至少部分覆盖与所述衬底一体并从所述衬底的表面向上突出的第一微触 点部分；以及

(b)蚀刻所述衬底的表面，以便留下处于所述第一微触点部分下方并与 之一体的第二微触点部分，所述最终耐蚀刻材料至少部分保护所述第一微 触点部分在所述进一步蚀刻步骤期间不被蚀刻。

12、根据权利要求11所述的方法，还包括通过如下方式形成所述加工 过程中的衬底

(c)在所述衬底的顶表面上的选定位置处提供预备耐蚀刻材料；以及

(d)蚀刻所述衬底的所述顶表面，以便去除所述衬底中的未被所述预备 耐蚀刻材料覆盖的部分，由此留下从被蚀刻表面向上突出的所述第一微触 点部分。

13、根据权利要求12所述的方法，其中，在选定位置处提供所述预备 耐蚀刻材料的步骤包括在整个所述顶表面上方提供所述预备耐蚀刻材料， 并在所述预备耐蚀刻材料顶部提供掩模以将所述预备耐蚀刻材料暴露于辐 射。

14、根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一微触点部分具有竖 直延伸的侧壁，并且所述最终耐蚀刻材料至少部分覆盖所述第一微触点部 分的所述侧壁。

15、根据权利要求11所述的方法，还包括去除所述预备耐蚀刻材料和 所述最终耐蚀刻材料。

16、一种微电子单元包括：

(a)衬底；以及

(b)多个沿竖直方向从所述衬底突出的微触点，每个微触点包括与所述 衬底相邻的基部区域和远离所述衬底的顶端区域，每个微触点具有水平尺 度，所述水平尺度是所述基部区域中竖直位置的第一函数，并且是所述顶 端区域中竖直位置的第二函数。

17、根据权利要求16所述的微电子单元，其中，所述第一和第二函数 相当不同。