[发明专利]小间距微触点及其形成方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求享有2007年3月13日提交的美国专利申请No.11/717,587 的优先权，该申请是2005年6月24日提交的美国专利申请No.11/166,982 的部分延续，后者要求享有2004年6月25日提交的美国临时专利申请 No.60/583,109的申请日权益。申请No.11/166,982也是2004年10月6日 提交的美国专利申请No.10/959,465的部分延续。申请No.10/959,465还 要求享有2003年10月6日提交的美国临时专利申请No.60/508,970、2003 年12月30日提交的60/533,210、2003年12月30日提交的60/533,393 以及2003年12月30日提交的60/533,437的申请日权益。据此通过引用 将所有前述申请的公开并入于此。

背景技术

本发明涉及微电子封装、制造微电子封装所用的部件以及制造封装和 部件的方法。

细长柱或引脚形式的微触点元件可以用于将微电子封装连接到电路板 以及用于微电子封装中的其他连接。在一些情况下，通过蚀刻包括一个或 多个金属层的金属结构来形成微触点。蚀刻工艺限制了微触点的尺寸。常 规的蚀刻工艺通常不能形成高度与最大宽度比(在此称为“高宽比”)大的 微触点。一直难以或不能形成具有相当高度且间距或相邻微触点之间的跨 度非常小的微触点阵列。此外，通过常规蚀刻工艺形成的微触点配置受到 限制。

出于这些和其他原因，希望有进一步改善。

发明内容

在一个实施例中，一种形成微触点的方法包括(a)在衬底的顶表面上的 选定位置处提供第一耐蚀刻材料；(b)在未被所述第一耐蚀刻材料覆盖的位 置处蚀刻所述衬底的顶表面，由此在所述选定位置处形成从所述衬底向上 突出的第一微触点部分；(c)在所述第一微触点部分上提供第二耐蚀刻材 料；以及(d)进一步蚀刻所述衬底以在所述第一微触点部分下方形成第二微 触点部分，所述第二耐蚀刻材料至少部分保护所述第一微触点部分在所述 进一步蚀刻步骤期间不被蚀刻。在另一个实施例中，一种形成微触点的方 法包括：(a)向加工过程中的衬底施加最终耐蚀刻材料，使得所述最终耐蚀 刻材料至少部分覆盖与所述衬底一体并从所述衬底的表面向上突出的第一 微触点部分；以及(b)蚀刻所述衬底的表面，以便留下所述第一微触点部分 下方并与之一体的第二微触点部分，所述最终耐蚀刻材料至少部分保护所 述第一微触点部分在所述进一步蚀刻步骤期间不被蚀刻。

在又一实施例中，一种微电子单元包括：(a)衬底；以及(b)多个沿竖 直方向从所述衬底突出的微触点，每个微触点包括与所述衬底相邻的基部 区域和远离所述衬底的顶端区域，每个微触点具有水平尺度，所述水平尺 度是所述基部区域中竖直位置的第一函数，且是所述顶端区域中竖直位置 的第二函数。

在又一实施例中，一种微电子单元包括：衬底，多个沿竖直方向从所 述衬底突出的微触点，其中两个相邻微触点之间的间距小于150微米。

在又一实施例中，一种微电子单元包括：(a)衬底；以及(b)多个沿竖 直方向从所述衬底突出的细长微触点，每个微触点包括与衬底相邻的基部 区域和远离所述衬底的顶端区域，每个微触点具有轴以及环形表面，所述 环形表面在所述竖直方向上沿着所述轴向着或远离轴倾斜，使得所述环形 壁的斜率在所述顶端区域和所述基部区域之间的边界处突变。

在另一个实施例中，一种微电子单元包括(a)衬底；以及(b)多个沿竖 直方向从所述衬底突出的微触点，每个微触点具有与所述衬底相邻的近侧 部分和在竖直方向上从所述近侧部分远离所述衬底延伸的细长远侧部分， 所述柱的宽度在所述近侧部分和远侧部分之间的接合处以阶梯式的方式增 大。

附图说明

图1是衬底的示意图。

图2是具有光刻胶层的图1的衬底的不意图。

图3是具有光刻胶层和掩模的图1的衬底的透视示意图。

图4是被蚀刻的图1衬底的示意图。

图5是具有第二光刻胶的图1的衬底的示意图。

图6是第二光刻胶已显影的图1的衬底的示意图。

图7是被第二次蚀刻的图1衬底的示意图。

图8A-8D是微触点的范例轮廓。

图9是描绘第一实施例的流程图。

图10是描绘第二实施例的流程图。

图11是应用中的多层衬底的示意图。