[发明专利]光VT装置有效

专利信息
申请号: 200880012156.4 申请日: 2008-04-07
公开(公告)号: CN101680918A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 佐藤纯一;高桥正雄;竹内美和;前田照彦;藤川充弘;梅村时博;桑原豪 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝产业机器制造株式会社
主分类号: G01R15/24 分类号: G01R15/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 许海兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: vt 装置
【权利要求书】:

1.一种光VT装置,其特征在于,具备:

初级侧电极,与外部电气设备连接,通过上述电气设备被施加被 测定电压;

第一次级侧电极,与上述初级侧电极相对地设置;

绝缘层,设置在上述初级侧电极与上述第一次级侧电极之间,构 成与上述初级侧电极以及上述第一次级侧电极一起一体成形的绝缘 筒;

接地层,设置在上述绝缘筒的外周以及上述第一次级侧电极的周 围,与上述第一次级侧电极之间具有上述绝缘层而确保静电电容;以 及

电气光学元件,对上述第一次级侧电极与上述接地层之间的电压 进行测量。

2.根据权利要求1所述的光VT装置,其特征在于,

与上述电气设备连接的开口部形成于上述绝缘筒,

上述绝缘层由环氧树脂形成,

在向上述开口部连接上述电气设备时,在上述开口部露出的上述 绝缘层经由可挠性绝缘体而与上述电气设备的绝缘层紧密相接。

3.根据权利要求1所述的光VT装置,其特征在于,

上述绝缘层由可挠性绝缘体形成。

4.根据权利要求1所述的光VT装置,其特征在于,

上述绝缘筒具备收容上述电气光学元件的密闭的空隙部。

5.根据权利要求4所述的光VT装置,其特征在于,

上述接地层还设置在上述空隙部的内面。

6.根据权利要求4所述的光VT装置,其特征在于,

还具备埋设在上述绝缘层中并包围上述空隙部的第二次级侧电 极,

上述第一次级侧电极以及上述第二次级侧电极电连接。

7.根据权利要求1所述的光VT装置,其特征在于, 上述第一次级侧电极在与上述初级侧电极的相对面上具有突起。

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