[发明专利]切片及芯片接合带和半导体芯片的制造方法无效
申请号: | 200880012251.4 | 申请日: | 2008-01-16 |
公开(公告)号: | CN101669194A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 渡部功治;福冈正辉;松田匠太;竹部义之 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 切片 芯片 接合 半导体 制造 方法 | ||
1.一种切片及芯片接合带,其在对半导体晶片进行切片来获得半导体芯片,并对半导体芯片进行芯片接合时使用,其中,
该切片及芯片接合带包括芯片接合膜和贴附在所述芯片接合膜的一个面上的非粘性膜,所述非粘性膜包含(甲基)丙烯酸树脂交联体作为主要成分。
2.权利要求1所述的切片及芯片接合带,其中,所述非粘性膜在其断裂点的伸长率在5~100%的范围内。
3.权利要求1或2所述的切片及芯片接合带,其中,所述非粘性膜的与所述芯片接合膜贴附的面的表面能为40N/m以下。
4.权利要求1~3中任一项所述的切片及芯片接合带,其中,所述非粘性膜的与所述芯片接合膜贴附的面未经脱模处理。
5.权利要求1~4中任一项所述的切片及芯片接合带,其中,所述(甲基)丙烯酸树脂交联体包含具有碳原子数为1~18的烷基的(甲基)丙烯酸酯聚合物。
6.权利要求5所述的切片及芯片接合带,其中,所述(甲基)丙烯酸酯聚合物的酸值为2以下。
7.权利要求5或6所述的切片及芯片接合带,其中,所述(甲基)丙烯酸酯聚合物是使丙烯酸丁酯和丙烯酸乙酯中的至少一种进行聚合而得到的(甲基)丙烯酸酯聚合物。
8.权利要求1~7中任一项所述的切片及芯片接合带,其中,所述芯片接合膜由热固性树脂组合物形成。
9.权利要求8所述的切片及芯片接合带,其中,所述芯片接合膜热固化前在23℃的储能模量为106~109Pa的范围。
10.权利要求8或9所述的切片及芯片接合带,其中,所述芯片接合膜包含环氧树脂、热固化剂和具有与环氧基反应的官能团的高分子聚合物。
11.权利要求10所述的切片及芯片接合带,其中,所述芯片接合膜中包含所述具有与环氧基反应的官能团的高分子聚合物,包含的比例是相对于100重量份所述环氧树脂,所述高分子聚合物为10~100重量份。
12.权利要求1~11中任一项所述的切片及芯片接合带,其中,在所述非粘性膜的贴附有所述芯片接合膜的一面的相反面上贴附有切片膜。
13.半导体芯片的制造方法,该方法包括下述工序:
准备权利要求1~12中任一项所述的切片及芯片接合带、以及半导体晶片;
在切片及芯片接合带的所述芯片接合膜的贴附有所述非粘性膜那一面的相反面上贴合半导体晶片;
将贴合有切片及芯片接合带的半导体晶片连同所述芯片接合膜一起进行切片,将其分割成一个一个的半导体芯片;
切片后,将贴合有所述半导体芯片的所述芯片接合膜从所述非粘性膜上剥离,并将所述半导体芯片连同芯片接合膜一起取出。
14.权利要求13所述的半导体芯片的制造方法,其中,在所述取出切片后的半导体芯片的工序中,不改变所述芯片接合膜与所述非粘性膜之间的剥离力而将半导体芯片取出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水化学工业株式会社,未经积水化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880012251.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造