[发明专利]切片及芯片接合带和半导体芯片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造半导体芯片的切片及芯片接合带，具体而言，本发明涉及贴合在半导体晶片上且在切片时和芯片接合时使用的切片及芯片接合带以及使用该切片及芯片接合带的半导体芯片制造方法。

背景技术

传统上，为了将半导体芯片从半导体晶片上切下并安装在基板等上，使用切片及芯片接合带。

作为上述切片及芯片接合带的一个例子，在下述专利文件1中公开了在膜状粘合剂层的一面上层叠了放射线固化型粘结剂层的切片及芯片接合带。膜状粘合剂层包含热塑性树脂和环氧树脂。膜状粘合剂层相当于芯片接合膜。此外，放射线固化型粘结剂层为放射线固化型的切片膜。

使用专利文献1所述的切片及芯片接合带来制造半导体芯片时，首先在芯片接合膜的与层叠有切片膜的面相反的面上贴合半导体晶片。接着，将半导体晶片连同芯片接合膜一起进行切片。切片后，对放射线固化型的切片膜进行放射线照射，使切片膜固化。切片膜固化，则其粘合力降低。然后，将贴合有半导体芯片的芯片接合膜从切片膜上剥离并取出。然后，通过芯片接合膜将半导体芯片安装在基板上。

然而，在切片时，为了稳定地进行切片，芯片接合膜必须牢固地贴合在切片膜上。与此相对，在切片后拾取半导体芯片时，带有半导体芯片的芯片接合膜必须能够无障碍地从切片膜上剥离。因此，在专利文献1中使用了放射线固化型的切片膜，其在照射放射线前粘合力高，并且在照射放射线后固化、粘合力降低。

另一方面，还已知一些切片及芯片接合带所具有的切片膜不是放射线固化型切片膜。

例如，下述专利文献2中公开了在膜状粘合剂层的一面上层叠有基体膜(II)的切片及芯片接合带。膜状粘合剂层由包含聚酰亚胺或丙烯酸类聚合物等热塑性树脂和热固性树脂的树脂组合物形成。膜状粘合剂层相当于芯片接合膜。作为切片膜，使用聚丙烯膜、聚乙烯膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。基体膜(II)相当于切片膜。

专利文献2中，切片膜的与芯片接合膜相贴附的面经过了脱模处理，使得切片后带有半导体芯片的芯片接合膜能够无障碍地从切片膜剥离。

专利文献1：日本特开2004-292821号公报

专利文献2：日本特开2006-165074号公报

发明内容

专利文献1所述的切片及芯片接合带使用了照射放射线后会固化、粘合力降低的放射线固化型的切片膜。然而，在使用了放射线固化型的切片膜的情况下，必须在切片后对切片膜照射放射线，使切片膜固化，降低其粘合力。因此，必须进行照射放射线的操作。

而且，有些情况下，即使对切片膜照射放射线，也不能充分降低切片膜的粘合力。如果在切片膜的粘合力未充分降低的状态下，就想将带有半导体芯片的芯片接合膜从切片膜剥离，则容易对半导体芯片施加多余的力。因此，存在半导体芯片破损的隐患。

另一方面，专利文献2所述的切片及芯片接合带中，为了提高剥离性，对切片膜进行了脱模处理。因此，在拾取半导体芯片时，没有必要照射放射线。然而，在制作该切片及芯片接合带时，必须在切片膜的表面涂布脱模剂、或者在芯片接合膜的表面形成凹凸来进行脱模处理。

而且，在切片膜的表面涂布有脱模剂的情况下，脱模剂容易附着在芯片接合膜上。这种情况下，有时无法将拾取的半导体芯片切实地安装在基板上。另一方面，在切片膜的表面形成有凹凸的情况下，有时芯片接合膜与切片膜不能充分密合，切片时有时芯片接合膜会从切片膜上剥离下来。

而且，在专利文献2中使用聚丙烯膜、聚乙烯膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为切片膜，因此，在拾取半导体芯片时，容易产生切削屑。产生切削屑，则有时无法切实地拾取半导体芯片。此外，有时切削屑附着在芯片接合膜或半导体芯片上，无法将拾取的半导体芯片精度良好且方向正确地安装在基板上。

鉴于上述传统技术的现状，本发明的目的是：提供一种切片及芯片接合带、以及使用该切片及芯片接合带的半导体芯片的制造方法，其中所述切片及芯片接合带可以在对半导体晶片进行切片并连同芯片接合膜一起拾取半导体芯片时，容易地将半导体芯片连同芯片接合膜一起剥离并取出，而无需进行光照射操作。

根据本发明，提供一种切片及芯片接合带，该切片及芯片接合带在对半导体晶片进行切片来获得半导体芯片并对半导体芯片进行芯片接合时使用，该切片及芯片接合带具有芯片接合膜以及贴附在所述芯片接合膜的一面上的非粘性膜，所述非粘性膜包含(甲基)丙烯酸树脂交联体作为主成分。