[发明专利]具有硅承台的发光二极管模块

权利要求书

1.一种发光二极管模块，其包括直接或间接地安装在承台(3、3’、3”、3”’)上的发光二极管半导体芯片(2)，所述承台(3、3’、3”、3”’)由硅制成，并且横向延伸超过所述发光二极管半导体芯片(2)，所述发光二极管半导体芯片(2)具有有源发光层和基板，

其中，在所述硅承台(3、3’、3”、3”’)中整合有作为所述发光二极管半导体芯片(2)用控制电路的部分的至少一个电子元件。

2.根据权利要求1所述的发光二极管模块，

其中，所整合的电子元件是光强度传感器、色温传感器和/或温度传感器。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管模块，

其中，所整合的电子元件是向所述发光二极管半导体芯片(2)供电的发光二极管驱动电子装置的部分。

4.根据前述权利要求之一所述的发光二极管模块，

其中，所整合的电子元件是无线通信装置。

5.根据前述权利要求之一所述的发光二极管模块，

其中，所述硅承台限定了其中布置所述发光二极管半导体芯片(2)的凹部(10)。

6.根据权利要求8所述的发光二极管模块，

其中，所述凹部(10)的壁是竖直的、倾斜的或弯曲的。

7.根据权利要求8或9所述的发光二极管模块，

其中，所述凹部(10)的壁被设计作为反射器壁。

8.根据权利要求8到10之一所述的发光二极管模块，

其中，所述硅承台(3、3’、3”、3”’)的限定所述凹部(10)的壁在竖向上延伸超过所述发光二极管半导体芯片(2)的有源发光层。

9.根据权利要求8到11之一所述的发光二极管模块，

其中，所述电子元件被整合在所述硅承台(3、3’、3”、3”’)的限定所述凹部(10)的壁中。

10.根据前述权利要求之一所述的发光二极管模块，

其中，所述电子元件被整合在所述硅承台(3、3’、3”、3”’)的位于所述发光二极管芯片(2)之下的基底部分中。

11.根据权利要求8所述的发光二极管模块，

其中，所述凹部(10)被至少部分地填充色彩转换介质(11)。

12.根据前述权利要求之一所述的发光二极管模块，

其中，所述承台(3、3’、3”、3”’)包括基底部分(4、4’、40)和反射器(5、5’、5”、50)。

13.根据权利要求12所述的发光二极管模块，

其中，所述反射器(5’、5”、50)和/或所述基底部分(4、4’、40)包括至少一个中间层(33、34、34’)。

14.根据权利要求12所述的发光二极管模块，

其中，所述反射器(50)由至少一个附加层(41、42)构成；

并且其中，所述发光二极管芯片(2)安装在所述附加层(41、42)之一的底面上。

15.根据权利要求12或13所述的发光二极管模块，

其中，所述电子元件或者被布置在中间层(33、34、34’)中，或者被布置在附加层(41、42)中。