[发明专利]具有硅承台的发光二极管模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有硅承台(silicon platform)的发光二极管模块。

背景技术

US2005/2760553A公开了一种具有次黏着基台(submount)的发光二极管封装(LED package)，该发光二极管封装可包括一个或更多个其他电子元件，所述一个或更多个其他电子元件用于控制发光二极管管芯(LED die)发出的光的强度。

“次黏着基台”是嵌入在芯片底部和封装底层之间的绝缘板。除了绝缘之外，次黏着基台还具有其他作用，如促进热扩散、使得芯片和封装间的热膨胀系数相协调、或调整芯片的高度。在增强热扩散、调整热膨胀系数或控制芯片高度的情况下，次黏着基台不需要是绝缘体。在器件存储在金属封装内的情况下，次黏着基台是无源的、中间的芯片基底，其具有将器件芯片保持在封装上的作用。次黏着基台通常具有发光二极管芯片基底的尺寸。

另外，由US 2006/0001055 A1公开了，将电子元件整合到发光二极管模块中。所述模块包括一侧形成有凹部的承台。在该凹部的底面上布置发光二极管芯片。该承台可由第一硅基板和第二硅基板制成。第一硅基板形成基底部分，在基底部分上布置第二硅基板，以形成反射器。集成电路可布置在第一硅基板上。

本说明书中的“承台”是这样的组件，其至少在横向尺寸方面大于发光二极管芯片。发光二极管芯片可直接或间接地(如通过次黏着基台)安装在承台上。

发明内容

本发明的目的是将其他功能整合到发光二极管模块中。

这个目的通过本发明独立权利要求所述的特征来实现。从属权利要求进一步扩展了本发明的核心思想。

根据本发明的第一方面提出了一种发光二极管模块，其包括直接或间接地安装在承台上的发光二极管半导体芯片。该承台由硅制成，并且横向延伸超过该发光二极管半导体芯片，该发光二极管半导体芯片具有有源发光层和基板，其中，在该硅承台中整合有作为发光二极管半导体芯片用控制电路的部分的至少一个电子元件。

所整合的电子元件可以是光强度传感器、色温传感器和/或温度传感器。

所整合的电子元件可以是向发光二极管半导体芯片供电的发光二极管驱动电子装置的部分。

所整合的电子元件可以是无线通信装置。

硅承台可限定其中布置发光二极管半导体芯片的凹部。

硅承台的限定所述凹部的壁可在竖向上延伸超过发光二极管半导体芯片的有源发光层。

所述凹部的壁可以是竖直的、倾斜的或弯曲的。

所述凹部的壁可被设计作为反射器壁。

电子元件可被整合在硅承台的限定所述凹部的壁中。

电子元件可被整合在硅承台的基底部分中。

所述凹部可被至少部分地填充色彩转换介质。

附图说明

通过阅读本发明的优选实施方式的详细说明并结合附图中的这些图，本领域技术人员可以清楚了解本发明的其他优点、目的和特征。

图1示出了发光二极管模块的例子，其具有“智能”硅承台，也就是具有整合有电子元件的硅承台；

图2示出了发光二极管模块的第二实施方式，其具有带中间层的“智能”硅承台；

图3示出了图2中的发光二极管模块的替代可行方式，其具有调整后的反射器；以及

图4示出了发光二极管模块的另一例子，其具有带两层反射器的“智能”硅承台。

具体实施方式

图1示出发光二极管模块1，其包括半导体发光二极管芯片2。发光二极管芯片2能够以面向上或面向下的几何形态安装。

如在现有技术中众所周知的那样，半导体芯片2具有有源发光区域和基板。

发光二极管芯片2直接安装在硅承台3上，或间接地(也就是通过本实施方式中未示出的次黏着基台)安装在硅承台3上。该次黏着基台的横向尺寸基本与发光二极管芯片2的尺寸相当。无论如何，硅承台3都与次黏着基台不一样大。

如图所示的硅承台3在横向上延伸超过发光二极管芯片2的轮廓。该硅承台3也可能在竖向上延伸超过发光二极管芯片2，尤其是在竖向上延伸超过发光二极管芯片2的有源发光区域。

硅承台3可被设计为限定开放的腔或凹部10，在该腔或凹部10的底部7布置发光二极管芯片2。

硅承台3中的凹部10的侧壁可由反射器构成，并且可以是弯曲的、竖直的或倾斜的(如本实施方式所示)。这些侧壁可以充当反射器，并且出于这种目的可被涂敷以金属。