[发明专利]电子器件的制备方法

权利要求书

1.制备包括介电层和有机半导体层的电子器件的方法，其包括以下步骤：将电极施加在所述介电层或有机半导体层之上，其特征在于在施加电极之前将保护层施加在所述介电层之上或在所述有机半导体层之上，并且将电极施加在所述保护层的至少一些部分上，并在施加或加工所述电极之后部分地除去所述保护层；其中所述电子器件是有机场效应晶体管、薄膜晶体管、射频识别标签、有机光伏器件、传感器或存储器。

2.根据权利要求1的方法，其包括以下步骤：将保护层(4)施加在介电层(3)之上或在有机半导体层(7)之上，使所述保护层经历等离子体处理和施加电极在所述保护层(4)的至少一些部分上。

3.根据权利要求2的方法，其中将所述电极图案化。

4.根据权利要求3的方法，其中除去所述保护层(4)的已经暴露于等离子体的、或者在图案化之后没有被所述电极覆盖的那些部分。

5.根据权利要求2的方法，其中除去所述保护层(4)的没有被提供到其上的电极层覆盖的那些部分。

6.根据权利要求1的方法，其中所述有机场效应晶体管是底栅、底接触电子器件，该电子器件按下述顺序包括以下组件：

-基底(1)，

-栅极(2)，

-含介电材料的绝缘体层(3)，

-源极和漏极(5)，

-有机半导体层(7)，

-在所述绝缘体层与所述源极和漏极之间的保护层(4)。

7.根据权利要求6的方法，其包括以下步骤：将栅极(2)施加在基底(1)上，将介电层(3)施加在栅极(2)和基底(1)之上，将保护层(4)施加在介电层(3)之上，将源极和漏极(5)施加在保护层(4)之上，和将有机半导体层(7)施加在源极和漏极(5)和介电层 (3)之上。

8.根据权利要求7的方法，其中在所述将源极和漏极(5)施加在保护层(4)之上步骤后，除去所述保护层的没有被源极和漏极(5)覆盖的那些部分。

9.根据权利要求1的方法，其中所述有机场效应晶体管是底栅、顶接触电子器件，该电子器件按下述顺序包括以下组件：

-基底(1)，

-栅极(2)，

-含介电材料的绝缘体层(3)，

-有机半导体层(7)，

-源极和漏极(5)，

-在所述有机半导体层与所述源极和漏极之间的保护层(4)。

10.根据权利要求9的方法，其包括以下步骤：将栅极(2)施加在基底(1)上，将介电层(3)施加在栅极(2)和基底(1)之上，将有机半导体层(7)施加在介电层(3)之上，将保护层(4)施加在有机半导体层(7)之上，将源极和漏极(5)施加在保护层(4)之上。

11.根据权利要求10的方法，其中在所述将源极和漏极(5)施加在保护层(4)之上步骤后，除去所述保护层的没有被源极和漏极(5)覆盖的那些部分。

12.根据权利要求1的方法，其中所述有机场效应晶体管是顶栅、底接触电子器件，该电子器件按下述顺序包括以下组件：

-基底(1)，

-源极和漏极(5)，

-有机半导体层(7)，

-含介电材料的绝缘体层(3)，

-栅极(2)，

-在所述绝缘体层与所述栅极之间的保护层(4)。

13.根据权利要求12的方法，其包括以下步骤：将源极和漏极(5)施加在基底(1)上，将有机半导体层(7)施加在源极和漏极(5)和 基底(1)之上，将介电层(3)施加在有机半导体层(7)之上，将保护层(4)施加在介电层(3)之上，将栅极(2)施加在保护层(4)之上。

14.根据权利要求13的方法，其中在所述将栅极(2)施加在保护层(4)之上步骤后，除去所述保护层的没有被栅极(2)覆盖的那些部分。