[发明专利]电子器件的制备方法

说明书

发明领域

本发明涉及使用保护层制备电子器件的方法，和通过这种方法制 备的改进的电子器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)。

背景和现有技术

有机场效应晶体管(OFET)用于显示器件和逻辑电路。常规的OFET 通常包括源极、漏极和栅极、含有机半导体(OSC)材料的半导体层和 含介电材料的栅极绝缘体层。

为了制备底栅器件，通常将含金属或金属氧化物的源和/或漏电极 层沉积到提供在基底上的介电层。这通常通过溅镀方法和随后的平版 蚀刻方法进行以除去不希望的区域。

制备底栅OFET的另一种常规方法包括将图案化触排结构(bank structure)施加到介电和源/漏极层上，接着沉积OSC层(通常通过 墨喷印刷)到所述触排结构、所述介电和电极层上。为了OSC层定位， 在施加OSC层之前通常对该触排结构的表面进行等离子体处理过程， 例如通过暴露于CF₄等离子体或O₂等离子体。CF₄-等离子体导致产生 类似Teflon的、极疏水性的表面(非常低的表面能)，这使得喷墨液 滴不能足够精确地沉积到触排结构腔中。

然而，可以看出，在上述OFET制备方法中，电极溅镀方法和等离 子体处理方法可能对介电层表面的裸露部分造成显著损害。结果，经 过此种处理的器件的性能劣化。

因此本发明的目的是提供制备电子器件、尤其是OFET的改进方 法，该方法没有现有技术方法的缺点并且允许时间、成本和材料有效 地大规模生产电子器件，特别是使介电层及其它功能性层相对在器件 制造过程中应用的等离子体表面处理技术或等离子体辅助沉积技术获 得改进的保护。本发明的另一个目的是提供通过此种方法获得的改进 的电子器件、特别是OFET。从如下详细描述中，本发明的其它目标对 于技术人员来说是即刻显见的。

发现可以通过提供本发明所要求的方法、材料和器件达到这些目 的。

发明概述

本发明涉及制备包括介电层和至少一个另外功能层的电子器件的 方法，其包括以下步骤：将一个或多个附加层或组件施加在所述介电 层或功能层之上，其中在施加所述附加层或组件之前将保护层施加在 所述介电层之上或在所述功能层之上。所述保护层的目的是减少或防 止所述介电层或另外功能层中可能由器件的后续制造或加工步骤、尤 其是后续施加或加工一个或多个附加层或组件的步骤所引起的损害。

本发明进一步涉及制备电子器件的方法，其中将至少一个附加功 能层施加到所述保护层上，和任选地在施加或加工所述附加层中的至 少一个之后部分地除去所述保护层。

本发明进一步涉及制备电子器件的方法，其包括以下步骤：将保 护层(4)施加在介电层(3)之上或在有机半导体(OSC)层(7)之 上，任选地使所述保护层经历等离子体处理和/或施加另外的层在所述 保护层(4)的至少一些部分上，任选地将所述另外的层图案化，和任 选地除去所述保护层(4)的已经暴露于等离子体的、或在图案化之后 没有被所述另外的层覆盖的那些部分。优选地，所述另外的层是导体， 非常优选是电极。

本发明进一步涉及如上和如下所述的制备电子器件的方法，其中 除去所述保护层(4)的没有被提供到其上的导体或电极层覆盖的那些 部分。

本发明进一步涉及通过如上和如下所述的方法获得的电子器件。

优选地，所述电子器件是有机场效应晶体管(OFET)、集成电路 (IC)、薄膜晶体管(TFT)、射频识别(RFID)标签、有机光伏(OPV) 器件、传感器或存储器。

附图简述

图1a描绘了根据现有技术的OFET。

图1b描绘了通过根据本发明的方法获得的OFET。

图2a和2b示例性地示出了通过根据本发明的方法获得的底栅 OFET。

图3a和3b示例性地示出了通过根据本发明的方法获得的顶栅 OFET。

图4和5示例性地示出了根据本发明的制备OFET的优选方法。

图6a和6b示出了根据对比实施例1的OFET器件的传输特性。

图7a-c示出了根据实施例1的OFET器件的传输特性。

图8示出了根据实施例2的OFET器件的传输特性。

图9a和9b示出了根据实施例3的OFET器件的传输特性。

发明详述