[发明专利]Ti膜的成膜方法

权利要求书

1.一种Ti膜的成膜方法，其特征在于：

该Ti膜的成膜方法利用成膜装置在具有Si部分的被处理基板的Si含有部分形成Ti膜，其中，

所述成膜装置包括：收容被处理基板的腔室；在腔室内载置被处理基板的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热单元；向腔室内供给含有TiCl₄气体和还原气体的处理气体的处理气体供给单元；在所述载置台上的被处理基板的上方空间形成高频电场的高频电场形成单元；和对所述腔室内进行排气的排气单元，

所述Ti膜的成膜方法包括下述工序：将具有Si部分的被处理基板配置在所述载置台上；对被处理基板进行加热；使腔室内成为规定的压力；向腔室内导入含有TiCl₄气体和还原气体的处理气体；利用所述高频电场形成单元形成高频电场而使所述处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面使所述TiCl₄气体和还原气体发生反应，

当通过所述反应在被处理基板的Si部分形成Ti膜时，对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，以使在被处理基板的Si部分的TiSi的生成反应被抑制。

2.如权利要求1所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

对腔室内压力和施加的高频电功率进行控制，使得在被处理基板的温度为550℃附近，发生作为前体以TiCl₃为主体的成膜反应。

3.如权利要求1所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

基板温度为300～670℃。

4.如权利要求3所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

基板温度为500℃±20℃。

5.如权利要求1所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

被处理基板除具有Si部分之外还具有SiO₂部分，在Si部分和SiO₂部分的双方上形成Ti膜。

6.如权利要求1所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

通过在所述被处理基板的Si部分形成Ti膜，使其界面硅化物化。

7.一种Ti膜的成膜方法，其特征在于：

该Ti膜的成膜方法利用成膜装置在具有Si部分的被处理基板的Si部分形成Ti膜，其中，

所述成膜装置包括：收容被处理基板的腔室；在腔室内载置被处理基板的载置台；对载置台上的基板进行加热的加热单元；向腔室内供给含有TiCl₄气体和还原气体的处理气体的处理气体供给单元；在所述载置台上的被处理基板的上方空间形成高频电场的高频电场形成单元；和对所述腔室内进行排气的排气单元，

所述Ti膜的成膜方法包括下述工序：将具有Si部分的被处理基板配置在所述载置台上；对被处理基板进行加热；对腔室内压力进行抽真空处理；向腔室内导入含有TiCl₄气体和还原气体的处理气体；利用所述高频电场形成单元形成高频电场使所述处理气体等离子体化；和在被处理基板的表面进行所述TiCl₄气体和还原气体的反应，

在腔室内压力为266～1333Pa的范围、高频电功率为200～1000W的范围内，当令腔室内的压力为x(Pa)，令高频电功率为y(W)时，满足(y-333)＜160400/(x-266)。

8.如权利要求7所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

基板温度为300～670℃。

9.如权利要求8所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

基板温度为500℃±20℃。

10.如权利要求7所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

所述被处理基板除具有Si部分之外还具有SiO₂部分，在Si部分和SiO₂部分的双方上形成Ti膜。

11.如权利要求7所述的Ti膜的成膜方法，其特征在于：

通过在所述被处理基板的Si部分上形成Ti膜，使其界面硅化物化。