[发明专利]使用多相溶液进行基片清洁的技术无效
申请号: | 200880014419.5 | 申请日: | 2008-04-04 |
公开(公告)号: | CN101675509A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 埃里克·M·弗里尔;约翰·M·德拉里欧斯;迈克尔·拉夫金;米哈伊尔·科罗利克;弗里茨·C·雷德克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/465 | 分类号: | H01L21/465 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 多相 溶液 进行 清洁 技术 | ||
1.一种用于清洁多个具有相对表面的基片的方法,其中至少一个 基片上包括污染物,所述方法包括:
通过将其中包含了多个基片的盒暴露至溶液,在所述多 个基片和所述溶液之间同时产生相对移动,其中所述溶液有散 布其中的耦合单元且所述相对移动在所述耦合单元的子集上 施加足够的牵引以产生有所述子集的该耦合单元在所述溶液 中的移动并在所述污染物上施加一定量的牵引以导致所述污 染物相对于所述基片移动,且所述耦合单元的硬度小于该多个 基片的表面的硬度,其中同时产生包括,
用所述溶液填充槽以限定所述溶液的一定容积;
将所述盒插入所述容积以在所述多个基片的表面和 所述溶液之间产生沿第一方向的相对移动;以及
从所述容积移除所述盒以在所述表面之间产生在与 所述第一方向相反的第二方向的相对移动。
2.一种用于清洁具有相对表面的多个基片的方法,其中至少一个 基片上包括污染物,所述方法包括:
通过将其中包含了多个基片的盒暴露至溶液,在所述多 个基片和所述溶液之间同时产生相对移动,其中所述溶液有散 布其中的耦合单元且所述相对移动在所述耦合单元的子集上 施加足够的牵引以产生有所述子集的该耦合单元在所述溶液 中的移动并在所述污染物上施加一定量的牵引以导致所述污 染物相对于所述基片移动,且所述耦合单元的硬度小于该多个 基片的表面的硬度,其中同时产生包括,
将所述盒放入槽中;
将所述溶液引入所述槽以在所述溶液和所述多个基 片的表面之间产生沿第一方向的该相对移动,其中足够多的所 述溶液被引入以在所述槽中产生所述溶液的一定容积,该容积 足以将所述多个基片中的每一个浸没于所述容积中;以及
从所述容积移除所述盒以在所述表面之间产生在与 第一方向相反的第二方向的相对移动。
3.一种用于清洁具有相对表面的基片的方法,其中一个表面上包 括污染物,所述方法包括:
将该基片放入充满溶液的浸没槽中;
在该溶液和所述基片之间产生在横穿所述相对表面之一 的法线的方向上的相对移动,以在引入和从所述浸没槽除去该 基片时生成两个间隔开的液流,所述溶液具有散布于其中的耦 合单元,而所述相对移动在所述耦合单元的子集上施加足够的 牵引以生成所述子集的耦合单元在所述溶液中的移动并在所 述污染物上施加一定量的牵引以使所述污染物相对于所述基 片移动,所述耦合单元的硬度小于所述基片的表面的硬度。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述间隔开的液流中的每一个 在共同的方向上移动。
5.如权利要求3所述的方法,其中所述两个间隔开的液流在所述 基片周围同时移动。
6.如权利要求3所述的方法,进一步包括反转所述间隔开的液流 的方向。
7.如权利要求3所述的方法,其中产生进一步包括在有所述子集 的该耦合单元上施加足够大的动量以使有所述子集的该耦合 单元接触所述污染物并使所述污染物相对于所述基片移动。
8.如权利要求3所述的方法,进一步包括从所述溶液产生泡沫, 其中所述两个间隔开的液流由所述泡沫组成。
9.如权利要求3所述的方法,进一步包括从所述溶液产生泡沫, 以产生由所述泡沫形成的所述两个间隔开的液流,以及停止所 述两个间隔开的液流并将所述基片暴露于溶液中以除去所述 泡沫,并将所述基片暴露于真空中以除去所述溶液。
10.一种用于清洁具有相对表面的基片的方法,该表面上有污染 物,所述方法包括:
将该基片放入充满溶液的浸没槽中;
在该溶液和所述基片之间产生在横穿所述相对表面之一 的法线的方向上的相对移动,以在引入和从所述浸没槽除去该 基片时生成两个间隔开的液流,所述溶液具有散布于其中的耦 合单元,而所述相对移动在所述耦合单元的子集上施加足够的 牵引以产生所述子集的耦合单元在所述溶液中的移动并在所 述污染物上施加一定量的牵引以使所述污染物相对于所述基 片移动,所述耦合单元的硬度小于所述基片的表面的硬度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造