[发明专利]使用多相溶液进行基片清洁的技术

说明书

背景技术

存在一种期望，即减小电子基片产品中的特征(features) 的关键尺寸。随着该特征尺寸的减小，在对特征进行处理的过程中 污染物的影响增大，这可能产生缺陷。典型的污染物是各种微粒， 包括多晶硅碎片、光刻胶微粒、金属氧化物微粒、金属微粒、泥浆 残余物、灰尘、污垢，以及各种包含比如碳、氢和/或氧等原子的分 子。微粒频繁地被弱共价键、静电力、范德华力(van der Waals forces)、氢键合、库仑力或偶极间作用力粘着于基片表面，使得该 微粒难以除去。

历史上，微粒污染物是结合化学和机械处理除去的。这 些处理使用清洁工具和清洁剂，其有可能在清洁过程中引入其它的 污染物。

用于清洁基片表面的另一种技术通过将该表面暴露于高 温中以蒸发上面存在的污染物，省略了化学试剂的使用。通过将该 基片表面所在的室排空而将该蒸汽除去。这种处理要求的高温限制 了其对不涉及具有在接近该污染物的蒸发温度的温度下结构变化 的材料的后沉积处理的应用。

另一种清洁技术在专利号为6,881,687中揭示过，并使用 一种激光清洁良率使能(laser-clean yield-enabling)技术。该系统结 合激光清洁操作，与缺陷监测操作协同工作以将于导致剩余缺陷的 根本原因的信息反馈回更早的处理阶段，以矫正该根本原因，并带 来良率的提升。在一种最简配置中，在激光清洁之后剩余的微粒根 据其类型、尺寸、形状、密度、位置和化学成分被特征化以推断出 那些特定微粒存在的根本原因。这种信息被用于改善后续生产的待 处理晶片的良率，以便它们的良率比被特征化的晶片的良率更高。 然而，它要求提供一种更可靠的清洁处理，其可以避免在已经被执 行了清洁处理的表面上存在剩余的微粒污染物。

因此，存在这样一种需要，即提供清洁基片表面的改进 的技术。

发明内容

一种用于清洁上面有污染物的半导体基片的相对表面的 方法和系统。在一个实施方式中，该方法包括通过将具有多个基片 的盒暴露至溶液，在该多个基片和该溶液之间同时产生相对移动。 该溶液有散布其中的耦合单元且该相对移动在该耦合单元的子集 上施加足够的牵引以形成该子集的该耦合单元在该溶液中的移动 并在该污染物上施加一定量的牵引以导致该污染物相对于该基片 移动。

另一个实施方式指向一个方法，该方法包括在流体和基 片之间产生相对移动。该相对移动在横穿(transverse)该相对表面 之一的法线的方向上并产生两个间隔开的液流。每个液流邻近该相 对表面中的一个，该表面不同于邻近该多个液流的剩余液流的该相 对表面。该流体具有散布于其中的耦合单元，而建立该相对移动以 向该污染物上施加足够的牵引，以相对与该基片移动该污染物。参 考下面通过本发明的实施例的方式描绘的具体实施方式，并结合附 图，本发明的其它方面和特征会变得更加显而易见。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细说明，可以很容易地理解 本发明，且同类的参考标号代表同类的结构元件。

图1是包括本发明的一种基片处理系统的平面图。

图2是根据本发明的一个实施方式的示例性基片清洁系 统的简化侧视图。

图3是沿线3-3的图2中所示的浸没槽和基片运输系统的 侧视图。

图4是显示，根据本发明的一个实施方式，用于从基片表 面除去微粒污染物的流体的平面图。

图5显示了，根据本发明，有关于图4中的污染物的该悬 浮液中的可延展区域的相关横截面。

图6是图4中使用的流体的平面图，显示了，根据本发明， 为了促进从该晶片表面除去该微粒污染物而施加在微粒上的力。

图7是显示，用于清洁图2和3所示的基片的处理的流程 图。

图8是，根据一个替代实施方式，图4中所示的浸没槽的 横截面视图。

图9是显示，根据本发明的另一个实施方式，用于从基片 表面除去微粒污染物的流体的平面图。

图10是根据一个替代实施方式，用于清洁基片的系统的 透视图。

图11是图10中所示的浸没槽的横截面视图。

图12是图10和11中所示的浸没槽之一的一种替代实施方 式。