[发明专利]采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法有效
申请号: | 200880014683.9 | 申请日: | 2008-09-22 |
公开(公告)号: | CN101675504A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 金志洙;田景秀;崔庚铢;李基罗;李承宪;申东明 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄丽娟;徐 琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 光刻 刻蚀 玻璃 金属 基底 方法 以及 制备 印刷 | ||
1.一种刻蚀玻璃的方法,其包括以下步骤:
a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;
b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;
c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;
d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和
e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括:
在步骤a)之前,在所述玻璃表面上形成金属层或金属氧化物层。
3.根据权利要求2所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤a)之前,所述金属层或金属氧化物层通过使用选自等离子体沉积、电子束沉积和热沉积中的任意一种方法而被沉积到玻璃表面上。
4.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括:
在步骤e)之后,除去所述负性光刻胶层。
5.根据权利要求4所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括:
在除去所述负性光刻胶层的步骤之后,除去所述金属层或金属氧化物层。
6.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述玻璃的厚度在0.2~10mm的范围内。
7.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述金属包括选自铬、钼和钨中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述金属氧化物包括选自氧化铬、氧化钼和氧化钨中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述负性光刻胶为选自黑色光刻胶和彩色光刻胶中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在所述金属层或金属氧化物层上,采用选自旋涂法、狭缝与旋转式涂布法、狭缝涂布法和毛细管涂布法中的任意一种方法来形成所述负性光刻胶层。
11.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤b)中,所述曝光在200~800nm的波长范围内进行2~15秒。
12.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤b)中,所述曝光在选自为I-线的356nm、为H-线的405nm和为G-线的436nm中的一种或多种波长处进行2~15秒。
13.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤c)中,使用选自KOH和NaOH中的一种或多种显影溶液来进行所述显影。
14.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤d)中,使用选自硝酸、硝酸铈铵、氢氟酸和H2O2的溶液混合物以及氢氟酸和去离子水的溶液混合物中的一种或多种刻蚀溶液来刻蚀所述金属层或金属氧化物层。
15.根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤e)中,使用氢氟酸来刻蚀所述玻璃。
16.一种采用权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法制备印刷版的方法。
17.一种采用权利要求16所述的制备印刷版的方法制备的印刷版。
18.根据权利要求17所述的印刷版,其中,所述印刷版包括:玻璃,其具有由刻蚀而形成的不平坦的部分;金属层或金属氧化物层,其设置于所述玻璃的突起上;和负性光刻胶层,其设置于所述金属层或金属氧化物层上,它们顺序成层。
19.一种在使电子材料图形化中使用权利要求17所述的印刷版的方法。
20.一种刻蚀金属的方法,其包括以下步骤:
a)在金属上形成负性光刻胶层;
b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;
c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;和
d)刻蚀金属,该部分金属上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层。
21.根据权利要求20所述的刻蚀金属的方法,其中,所述金属包括选自铬、钼和钨中的一种或多种。
22.一种采用权利要求20所述的刻蚀金属的方法制备印刷版的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造