[发明专利]采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法有效
申请号: | 200880014683.9 | 申请日: | 2008-09-22 |
公开(公告)号: | CN101675504A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 金志洙;田景秀;崔庚铢;李基罗;李承宪;申东明 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄丽娟;徐 琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 光刻 刻蚀 玻璃 金属 基底 方法 以及 制备 印刷 | ||
技术领域
本发明涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版(cliche)的方法。
本申请要求享有于2007年9月21日在KIPO递交的第10-2007-0096589号韩国专利申请的优先权,其公开的内容以参考的方式全部引入本文。
背景技术
胶印法是使特殊电子材料(例如导电胶、具有优异的光学性能的墨汁等)图形化的一种方法,并且在进行胶印工艺的同时制备用于显示器的电子记录/成像/电路器件的基本部件,例如电路材料或彩色滤光片,而印刷版是实现以上方法所必需的。
此处,根据字典的含义,印刷版是被制成一种形状以使预定的实体容易地插入其中,而在相关技术领域中,其通常指一种包括不平坦部分的工具,其用于转移电子材料的图形。
已知的印刷版是通过以下方式制备的:在其上沉积有铬的玻璃上涂敷正性光刻胶,并使其图形化以刻蚀玻璃的表面,从而得到所需的形状。但是,由于正性光刻胶和铬表面的粘附问题,存在的问题是,正性光刻胶被铬刻蚀溶液腐蚀,或者当用玻璃制作印刷版时,对于用于刻蚀玻璃的氢氟酸的耐久性差。
另外,要求使用正性光刻胶时要形成的光掩膜为玻璃刻蚀部分的反型(inverse type)。因此,存在的问题是,当在其它工艺中需要通常的光掩膜时,应另外制作昂贵的光掩膜。
此外,如图2所示,印刷版通过包括多个步骤的复杂工艺来制备。另外,由于通过使用单一波长的激光来对正性光刻胶进行曝光,对于曝光波长,通常使用例如157nm、193nm、248nm等的深紫外或在短波长处的单一激光束,例如I-线(365nm)或G-线(436nm),从而有成本高的缺点。
发明内容
技术问题
因此,为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种刻蚀方法和用该方法制备印刷版的方法,在所述刻蚀方法中,由于对金属或金属氧化物表面的粘附强度优异,使用不会被在玻璃或金属的刻蚀过程中使用的金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀的负性光刻胶,所以不必制备反型光掩膜(inversephotomask),制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源而不使用单一激光束,从而确保了经济效益。
技术方案
为了实现上述目的,本发明提供了一种刻蚀玻璃的方法,该方法包括以下步骤:a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。
此外,本发明提供一种刻蚀金属的方法,该方法包括以下步骤:a)在金属上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;和d)刻蚀金属,该部分金属上未涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层。
另外,本发明提供了一种使用所述刻蚀玻璃或金属的方法制备印刷版的方法。
再有,本发明提供了采用所述制备印刷版的方法制备的印刷版。
还有,本发明提供了一种在电子材料图形化中使用所述印刷版的方法。
有益效果
在采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法及使用该方法制备印刷版的方法中,由于金属或金属氧化物表面与负性光刻胶之间的粘附强度优异,负性光刻胶不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀,所以不必制备反型光掩膜,制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源而不使用单一激光束,从而确保了经济效益。
附图说明
图1为说明根据本发明的采用负性光刻胶刻蚀玻璃的方法的流程图;
图2为说明采用已知的正性光刻胶制备印刷版的方法的流程图;
图3为采用扫描电镜(Hitach S-4800)拍摄的根据本发明的采用负性光刻胶制备的印刷版的正面图片(比例:2200∶1);
图4为显示图3中由左边的圈所指的部分的放大图片(比例:9000∶1);
图5为在比较例中采用正性光刻胶制备的印刷版的图片(比例:1000∶1);以及
图6为显示在实施例2中制备的印刷版的图片。
具体实施方式
在下文中将详细描述本发明。
本发明涉及在刻蚀金属层或金属氧化物层时用作掩膜的光刻胶,并且优选使用负性光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造