[发明专利]形成具有多种类型肖特基结的晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底之上形成栅电极；

从第一方向且以第一角度向所述衬底中进行第一金属注入；

但是从不同于所述第一方向的第二方向以第一角度向所述衬底 中进行第二金属注入，所述第一金属注入和第二金属注入在所述衬底 内形成第一电流电极和第二电流电极；

从第三方向且以小于第一角度的第二角度向所述衬底中进行第 三金属注入；

但是从不同于所述第三方向的第四方向以第二角度向所述衬底 中进行第四金属注入，第一电流电极和第二电流电极中的每一个具有 金属组分不同的至少两个区域，所述第一电流电极具有与第二电流电 极对称的组分；

在所述栅电极、第一电流电极和第二电流电极之上沉积金属层； 以及

退火所述金属层以在第一电流电极和第二电流电极的每一个中 形成两个肖特基结，所述两个肖特基结具有不同的势垒级。

2.如权利要求1的方法，进一步包括：

实现基本上与第二方向相反的第一方向。

3.如权利要求1的方法，其中第一电流电极和第二电流电极的每 一个中两个肖特基结中的第一个邻接位于栅电极之下的沟道区并且 具有基本上相同的势垒高度。

4.如权利要求1的方法，其中形成所述第一电流电极进一步包括：

在所述衬底与所述第一电流电极的下表面的第一分界面处形成 具有第一肖特基结的、第一金属组分的第一区域；以及

在所述衬底与所述第一电流电极的沟道边缘表面的第二分界面 处形成具有第二肖特基结的、第二金属组分的第二区域。

5.如权利要求1的方法，其中进行第一金属注入和第二金属注入 中的每一个进一步包括：

利用钇、硼和铂的组构成的金属进行金属注入。

6.如权利要求1的方法，其中进行第三金属注入和第四金属注入 中的每一个进一步包括：

利用铒、砷和铝的组构成的金属进行金属注入。

7.如权利要求4的方法，其中所述第一肖特基结具有高于所述第 二肖特基结的肖特基势垒高度。

8.如权利要求1的方法，其中形成所述第一电流电极和第二电流 电极进一步包括：

形成具有第一区域的第一电流电极，所述第一区域具有第一肖特 基势垒高度的第一肖特基结；

形成具有第二区域的第一电流电极，所述第二区域具有第二肖特 基势垒高度的第二肖特基结；

形成具有第一区域的第二电流电极，所述第一区域具有第三肖特 基势垒高度的第三肖特基结；以及

形成具有第二区域的第二电流电极，所述第二区域具有第二肖特 基势垒高度的第二肖特基结。

9.如权利要求8的方法，其中所述第一肖特基势垒高度小于所述 第三肖特基势垒高度。