[发明专利]锂离子二次电池有效

专利信息
申请号: 200880014815.8 申请日: 2008-07-18
公开(公告)号: CN101675545A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 本田和义;佐藤俊忠;末次大辅;柏木克巨;别所邦彦 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/02;H01M4/38;H01M4/40;H01M4/48;H01M4/58;H01M10/40
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩;田 欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 锂离子 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种锂离子二次电池,具有:

正极集电体;

与所述正极集电体接触地设置的正极活性物质层;

隔膜层,其设置于所述正极活性物质层的未设有所述正极集电体的一 侧;

以硅或锡为主成分的负极活性物质层,其设置于所述隔膜层的未设有 所述正极活性物质层的一侧,具有与所述正极活性物质层对向的对向部和 不与所述正极活性物质层对向的非对向部,在所述对向部和所述非对向部 含有由薄膜形成法制作的锂;和

负极集电体,其设置于所述负极活性物质层的未设有所述隔膜层的一 侧。

2.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述锂通过在电池组 装前采用真空工艺在所述对向部和所述非对向部的表面形成锂膜,从而插 入到所述对向部和所述非对向部中。

3.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述负极活性物质层 是采用真空工艺形成的。

4.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述非对向部的所述 锂的含量比所述对向部的所述锂的含量多。

5.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述非对向部的所述 锂的含量和所述对向部的所述锂的含量为相同量或者大致相同量以使所 述非对向部与所述对向部的边界没有台阶高差。

6.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述正极集电体、 所述正极活性物质层、所述隔膜层、所述负极活性物质层和所述负极集电 体被卷绕从而构成卷绕型电极,或者,所述正极集电体、所述正极活性物 质层、所述隔膜层、所述负极活性物质层和所述负极集电体被层叠从而构 成叠层型电极。

7.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述对向部的所述锂 的含量为与不可逆容量相当的量,所述非对向部的所述锂的含量从与不可 逆容量相当的量以上、且小于与满充电相当的量的范围中选择。

8.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述负极活性物质层 含有以硅或锡为主成分的负极活性物质。

9.根据权利要求8所述的锂离子二次电池,其中,所述负极活性物质为 非晶质或低结晶性,所述低结晶性是指晶粒的粒径为50nm以下。

10.根据权利要求8所述的锂离子二次电池,其中,所述负极活性物质 是以硅为主成分的负极活性物质,所述以硅为主成分的负极活性物质是选 自硅、含硅合金、硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的锂离子二次电池,其中,所述负极活性物质 是以锡为主成分的负极活性物质,所述以锡为主成分的负极活性物质是选 自锡、含锡合金、锡氧化物和锡氮化物中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的锂离子二次电池,其中,所述薄膜形成法是 选自蒸镀法、溅射法和化学气相沉积法中的气相薄膜形成法。

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