[发明专利]光敏器件以及制造光敏器件的方法有效
申请号: | 200880015033.6 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101675522A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 普拉巴特·阿加瓦尔 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光敏 器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种光敏器件(100),该光敏器件(100)包括:
基片(101);
多个垂直排列的纳米线二极管(102至105);以及
电信号感测单元(113),其适用于感测由多个垂直排列的纳米线二 极管(102至105)在通过多个垂直排列的纳米线二极管(102至105) 吸收到电磁辐射(109)时产生的电信号。
2.如权利要求1所述的光敏器件(100),其中多个垂直排列的纳 米线二极管(102至105)中的不同纳米线二极管具有不同的直径(d1至 d4)。
3.如权利要求1所述的光敏器件(100),其中多个垂直排列的纳 米线二极管(102至105)被布置为彼此平行。
4.如权利要求1所述的光敏器件(100),其中多个垂直排列的纳 米线二极管(102至105)中的每一个均包括具有第一导电类型的第一末 端部分(106)和具有第二导电类型的第二末端部分(107)。
5.如权利要求4所述的光敏器件(100),其中第一导电类型不同 于第二导电类型。
6.如权利要求4所述的光敏器件(100),其中多个垂直排列的纳 米线二极管(102至105)中的每一个均包括处在第一末端部分(106) 和第二末端部分(107)之间的耗尽部分(108),其中依据各个垂直排 列的纳米线二极管(102至105)的直径(d1至d4)与电磁辐射(109) 的波长之间的对应关系,耗尽部分(108)能够吸收电磁辐射(109)。
7.如权利要求4所述的光敏器件(100),其中基片(101)连接至 第一末端部分(106)并具有第一导电类型。
8.如权利要求1所述的光敏器件(100),包括电绝缘矩阵(110), 其中嵌入有多个垂直排列的纳米线二极管(102至105)。
9.如权利要求1所述的光敏器件(100),包括电磁辐射引导元件 (111),其适于将电磁辐射(109)引导为在垂直于多个垂直排列的纳 米线二极管(102至105)的排列方向的方向入射到所述多个垂直排列的 纳米线二极管(102至105)。
10.如权利要求9所述的光敏器件(100),其中电磁辐射引导元件 包括由全息透镜、波导、光导纤维(111)和光子晶体材料所组成的组中 的至少一种。
11.如权利要求1所述的光敏器件(100),包括电信号处理单元(114), 其适用于对感测到的电信号进行处理以导出关于被多个垂直排列的纳米 线二极管(102至105)吸收的电磁辐射(109)的信息。
12.如权利要求11所述的光敏器件(100),其中电信号处理单元 (114)包括逻辑电路,其适用于按照预定的逻辑函数对电信号进行处理, 以导出关于电磁辐射(109)的信息。
13.如权利要求11或12所述的光敏器件(100),其中关于电磁辐 射(109)的信息是光谱信息。
14.如权利要求11所述的光敏器件(100),其中电信号处理单元 (114)适用于对电信号加权,以至少部分地补偿不同的电磁辐射吸收特 性,所述不同的电磁辐射吸收特性是由所述多个垂直排列的纳米线二极 管(102至105)的不同个体的不同直径(d1至d4)导致的。
15.如权利要求1所述的光敏器件(100),其中对多个垂直排列的 纳米线二极管(102至105)进行分组以形成纳米线二极管(102至105) 的组,使得一组的纳米线二极管(102至105)具有相同的直径,其中按 照对多个垂直排列的纳米线二极管(102至105)中不同个体的不同直径 (d1至d4)所引起的不同电磁辐射吸收特性进行至少部分补偿的方式来 形成分组。
16.如权利要求1所述的光敏器件(100),包括偏置单元(115), 其用于对多个垂直排列的纳米线二极管(102至105)形成电偏置。
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