[发明专利]用于传输晶片载体的设备及具有该设备的用于制造半导体的系统

说明书

技术领域

本发明涉及用于传输晶片载体的设备以及用于利用该晶片传输设 备制造半导体的系统。

背景技术

半导体装置被制造成具有多层薄膜，这些薄膜通过选择性地重复进 行诸如刻蚀加工、扩散加工、化学气象沉积加工、离子注入加工以及金 属沉积加工等多种加工而形成在晶片上。

为了在晶片上生长薄膜，可以使用诸如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)设备、化学气相沉积(CVD)设备、电子束沉积设备、物 理气相沉积(PVD)设备、等离子激光沉积(PLD)设备、双热式蒸发 器、溅射设备以及金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备等多种设备。

在这些生长设备中，将晶片装载在晶片载体(或基座)上或从晶片 载体(或基座)上卸载。通过传输设备将晶片载体传输至加工室。在多 种气体被供入其中和从其中排出的加工室中，在晶片上形成半导体薄 膜。

发明内容

技术问题

本发明提供了一种晶片载体传输设备和具有该晶片载体传输设备 的半导体制造系统，其中所述晶片载体传输设备设计成通过将可更换的 凹口端部耦联至传输臂的相对端部而仅更换传输臂的端部。

本发明提供了一种晶片载体传输设备和具有该晶片载体传输设备 的半导体制造系统，其中晶片载体传输设备设计成通过将易碎凹口端部 耦联至传输臂的相对端部来保护传输臂免受外部撞击。

实施方式提供了一种晶片载体传输设备和具有该晶片载体传输设 备的半导体制造系统，其中晶片载体传输设备设计成通过使传输臂的臂 凹口部的内表面倾斜成使得晶片载体可支撑在臂凹口的内表面上来保 护传输臂免受外部撞击。

技术方案

本发明提供了一种晶片载体传输设备，所述晶片载体传输设备包 括：支撑晶片载体的臂凹口部；以及以可拆卸的方式耦联至所述臂凹口 部的相对端部的凹口端部。

本发明提供了一种晶片载体传输设备，所述晶片载体传输设备包 括：支撑晶片载体的臂凹口部；凹口端部，所述凹口端部耦联至所述臂凹 口部的相对端部且由玻璃材料支撑；以及固定部，用于将所述凹口端部耦 联至所述臂凹口部的相对端部。

实本发明提供了一种半导体制造系统，所述半导体制造系统包括： 晶片载体储存在其中的至少一个负载锁固室；至少一个加工室，在所述加 工室中，在装载于所述晶片载体上的晶片上生长薄膜；以及传输室，所述 传输室包括在所述负载锁固室与所述加工室之间传输所述晶片载体的晶 片载体传输设备。

所述晶片载体传输设备包括：支撑所述晶片载体的臂凹口部；以及以 可拆卸的方式耦联至所述臂凹口部的相对端部的凹口端部。

有益效果

根据本发明，能够解决传输臂的端部下垂的问题。

根据本发明，即使当施加外部撞击时，仅凹口端部损坏，且能够使 外部撞击对马达或传输臂的影响最小化。

根据本发明，由于在传输臂的臂凹口部的内侧形成有倾斜表面，因 此当施加外部撞击时能够使支撑在臂凹口部的倾斜表面上的晶片载体 的运动最小化，从而保护晶片载体。

附图说明

图1是根据第一实施方式的半导体制造系统的示意图。

图2是图1的传输设备的俯视平面图。

图3是图2的内凹口部的立体图。

图4A和图4B是图3的内凹口部的正视图和侧截面图。

图5是图2的外凹口部、凹口端部以及固定部的分解立体图。

图6是图5的俯视平面装配图。

图7是图5的后视装配图。

图8是图5横截面装配图。

图9是图5的外凹口部和凹口端部的纵截面装配图。

图10是图2的外凹口部、凹口端部以及固定部的改型示例的分解 立体图。

图11是图2的外凹口部、凹口端部以及固定部的另一种改型示例 的分解立体图。

图12是图11的凹口端部的纵截面图。

具体实施方式

以下，将参照附图描述实施方式。

图1是根据第一实施方式的半导体制造系统的示意图。

参见图1，半导体系统100包括：一个或多个负载锁固室101；包 括传输设备110的传输室102；以及一个或多个加工室103。