[发明专利]光罩用基板、光罩用基板的成形构件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法有效
申请号: | 200880015374.3 | 申请日: | 2008-04-22 |
公开(公告)号: | CN101681092A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 阿边哲也;新田祐平;木村幸泰 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩用基板 成形 构件 制造 方法 使用 曝光 | ||
1.一种光罩用基板,是由厚度均一的板状构件构成的光罩用基 板,其特征在于:
具备由连续曲面构成的、待形成光罩图案的第1面、及与上述第 1面相对向的第2面;
上述第1面呈由相对向的一对第1组的边、及以连结该第1组的 边的方式延伸的相对向的一对第2组的边构成的四边形,沿着上述第 1组的各边的端部具有用以支持上述光罩用基板的支持部;
以上述第1面呈铅直状态的方式保持上述光罩用基板时,以通过 上述光罩用基板的重心且延伸于上述光罩用基板的厚度方向的轴线 与上述第1面相交的交点作为上述第1面的中心点;
将与上述中心点处的上述第1面的切平面平行的参照平面,定义 在上述第1面的前侧时,上述第1面的中心点与上述参照平面之间的 沿着上述厚度方向的第1距离,短于上述第2组的各边的中点与上述 参照平面之间的沿着上述厚度方向的第2距离。
2.如权利要求1所述的光罩用基板,其中,以上述第1面呈铅直 状态的方式保持上述光罩用基板时,在上述第2组的各边中,该边的 上述第1组的边侧的部分与上述参照平面之间的沿着上述厚度方向的 距离短于上述第2距离。
3.如权利要求1所述的光罩用基板,其中,以上述第1面呈铅直 状态的方式保持上述光罩用基板时,对于上述第1组的各边上的任一 点,上述第1组的边一的点与上述参照平面之间的沿着上述厚度方向 的距离相同。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光罩用基板,其中,以上述 第1面呈铅直状态的方式保持上述光罩用基板时,上述第1组的各边 的中点与上述参照平面之间的沿着上述厚度方向的距离与上述第1距 离相同。
5.如权利要求1至3中任一项所述的光罩用基板,其中,以上述 第1面呈铅直状态的方式保持上述光罩用基板时,上述第1组的各边 的中点与上述参照平面之间的沿着上述厚度方向的距离短于上述第1 距离。
6.如权利要求1所述的光罩用基板,其中,以上述第1面呈铅直 状态的方式保持上述光罩用基板时,对于上述第2组的各边上的任一 点,上述第2组的边上的点与上述参照平面之间的沿着上述厚度方向 的距离相同。
7.如权利要求1~3、6中任一项所述的光罩用基板,其具备用以 辨别上述第1面与上述第2面的标记。
8.如权利要求1~3、6中任一项所述的光罩用基板,其中,上述 基板由石英玻璃构成。
9.一种光罩,是使用权利要求1至8中任一项所述的光罩用基板 制作的光罩,其特征在于:
在上述第1面形成有光罩图案;
在上述支持部被曝光装置支持以便从上述第2面侧投射曝光用 光。
10.一种曝光方法,是使形成于权利要求9所述的光罩的光罩图 案曝光于晶片上的曝光方法,其特征在于:
从上述光罩的与形成有光罩图案的面相反侧的面投射曝光用光, 以上述形成有光罩图案的面朝向上述晶片侧的方式,在上述支持部被 曝光装置的光罩支持构件所支持的状态下进行曝光。
11.一种光罩用基板的成形构件,是对板状构件进行成形以形成 光罩用基板的成形构件,其特征在于:
具备用以对上述板状构件进行成形的成形面,上述成形面呈由连 续曲面构成的、相对向的一对第1组的边、及以连结上述第1组的边 的方式延伸的相对向的一对第2组的边所构成的四边形;
以连结上述第1组的各边的中点的直线及连结上述第2组的各边 的中点的直线的交点作为上述成形面的中心点;
将与上述中心点处的上述成形面的切平面平行的参照平面,定义 在上述成形面的前侧时,上述成形面的中心点与上述参照平面之间的 沿着上述切平面的法线方向的第1距离,短于上述第2组的各边的中 点与上述参照平面之间的沿着上述法线方向的第2距离。
12.如权利要求11所述的光罩用基板的成形构件,其中,在上述 第2组的各边中,该边的上述第1组的边侧的部分与上述参照平面之 间的沿着上述法线方向的距离短于上述第2距离。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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