[发明专利]将防护环或接触形成到SOI衬底的方法

权利要求书

1.一种形成与绝缘体上半导体衬底(120)的体半导体区域(116)接 触的导电部件的方法，所述体半导体区域(116)通过掩埋介电层(118) 而与所述衬底(120)的绝缘体上半导体层(108)分隔，所述方法包括：

a)在覆于沟槽隔离区域(124)上面的保形层(126)中形成第一开口 (228)，所述沟槽隔离区域(124)与所述绝缘体上半导体层(108)共享 边缘；

b)在所述保形层(126)的顶面和所述沟槽隔离区域(124)之上沉积 介电层(114)；

c)形成第二开口(416)，所述第二开口(416)延伸穿过所述介电层 (114)和所述保形层(126)中的所述第一开口(228)，以便在所述第二 开口(416)内暴露所述体半导体区域的部分(116)和所述保形层(126) 的所述顶面(128，328，414b，414a，514)；以及

d)用金属或半导体中的至少一种填充所述第二开口(416)，以形成 与所述体半导体区域的暴露的部分(116)和所述保形层的所述顶面(128， 328，414b，414a，514)接触的导电部件(110，310，410a，410b，510)。

2.根据权利要求1的方法，其中所述第一开口(228)具有第一宽度， 所述第二开口(416)具有大于所述第一宽度的第二宽度，且所述保形层 (126)的所述顶面的所述暴露的部分包括与所述第一开口的左边缘邻近的 左部分(128，328，414b)和与所述第一开口的右边缘邻近的右部分(128， 414a，514)，其中所述右边缘与所述左边缘相对。

3.根据权利要求1的方法，其中所述第一开口(228)的宽度和长度 中的每一个都对准所述绝缘体上半导体衬底(120)的主表面，其中所述长 度比所述宽度大不止十倍。

4.根据权利要求3的方法，其中所述绝缘体上半导体层(108)包括 器件区域(72)，并且所述导电部件(110，310，410a，410b，510)围绕 所述器件区域(72)。

5.根据权利要求1的方法，还包括在形成所述第二开口(416)之前， 在所述保形层(126)中的所述第一开口(228)的侧壁上形成隔离物。

6.根据权利要求1的方法，还包括在沉积所述介电层(114)之前， 使所述第一开口(228)延伸穿过所述掩埋介电层(118)以暴露所述体半 导体区域(116)的表面。

7.根据权利要求6的方法，其中在步骤b)中沉积的所述介电层(114) 覆盖在所述第一开口(228)内的所述体半导体区域(116)的所述表面， 并且步骤c)包括仅仅暴露在所述第一开口(228)内的所述体半导体区域 的所述表面的一部分。

8.根据权利要求6的方法，其中在步骤b)中沉积的所述介电层(114) 覆盖在所述第一开口(228)内的所述体半导体区域(116)的所述暴露的 表面，并且步骤c)包括形成通过所述介电层(114)的一部分而彼此横向 分隔的两个邻近的第二开口(410a，410b)。

9.根据权利要求8的方法，其中所述邻近的第二开口(410a，410b) 中的一个使与所述第一开口的左边缘邻近的所述保形层(126)的所述顶面 的左部分(414b)暴露，并且所述邻近的第二开口中的另一个使与所述第 一开口(228)的右边缘邻近的所述保形层(126)的所述顶面的右部分(414a) 暴露。

10.根据权利要求4的方法，其中所述导电部件(110，310，410a， 510)沿所述第二开口(110，310，416，510)的这样的边缘接触所述保形 层(126)的所述顶面的所述部分(128，328，414a，514)，与所述第二 开口的相对的边缘相比，该边缘更靠近所述器件区域(72)。